Leistungshalbleiter

Endlich wirtschaftlich machbar

GaN-Transistoren mit Fins

Heute verfügbare GaN-Transistoren haben alle eine laterale Struktur. Doch vertikale Strukturen wie bei Silizium und SiC wären besser, bei GaN aber nicht wirtschaftlich machbar. Nun haben Forscher eine Fin-Struktur vorgestellt, sodass sich vertikale…

Rohm

Neuer Industrial Sales Director

Seit dem 1. Februar 2018 ist Dr. Andreas Bauknecht Industrial Sales Director bei Rohm. In…

Rogers PES: neue curamik-Substrate

Wärmemanagement für erhöhte Leistungsdichte-Anforderungen

Als Grundmaterial eines Schaltungsträgers kommt leistungsfähigen keramischen Substraten…

VisIC Technologies kooperiert mit TSMC

Erstes GaN-auf-Silizium-Powermodul schafft 1200 V/50 A

VisIC Technologies bemustert gerade ihr Halbbrücken-Modul VM40HB120D mit selbstsperrenden…

GaN-Leistungshalbleiter

Ein Schritt in Richtung Massenproduktion

STMicroelectronics cooperiert mit Macom um künftig GaN-on-Silicon-Wafer in Serie zu…

Rohm Semiconductor

Europäisches Testlabor für Leistungselektronik eröffnet

Technische Unterstützung für europäische Kunden: Rohm eröffnet bei Düsseldorf ein…

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung in Sachen MOSFET, IGBT & Co

Wie lässt sich das Maximum aus Leistungshalbleitern herausholen und welche Fehler sollte…

IHS: HV-MOSFETs über 400 V sehr gefragt

Eine Allocation scheint abgewendet zu sein

Lieferengpässe bei MOSFETs, vor allem im HV-Bereich, und Wafern kennzeichnen für Richard…

Epi-Wafer von Allos Semiconductor

GaN-auf-Si für 1200 V in Sicht

Allos Semiconductor aus Dresden hat Prototypen einer 1200-V-Plattform für…

Massiver Kapazitätsausbau

Wafer- und Bauteilverknappung bremsen Wachstum

Massive Mehrbedarfe im Bereich Automotive und Industrieelektronik haben die Lieferzeiten…