Leistungshalbleiter

Infineon und Cree

Langfristiger Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Nachdem Infineon die Cree-Tochter Wolfspeed vor einem Jahr nicht kaufen durfte, hat das Unternehmen einen langfristigen, strategischen Liefervertrag für SiC-Wafer von Cree vereinbart. Cree liefert Wafer mit 150 mm Durchmesser, passend für die…

Mittelspannungs-Antriebe und HGÜ-Netze

Die Zukunft von Thyristoren und Dioden

Vor allem durch ihre hohe Zuverlässigkeit und ihre geringen Verluste punkten Thyristoren…

Wechsel im Top-Management

Takeshi Sugiyama wird President und CEO von Mitsubishi Electric

Takeshi Sugiyama wird zum 1. April 2018 President und CEO von Mitsubishi Electric. Er…

Aktuelle Leistungshalbleiter 2018

Kompakt, hochintegriert und sehr effizient

Ob hochintegriertes Vollbrücken-Modul, 20-V-Leistungs-MOSFET, leistungsfähige Schutz- oder…

Endlich wirtschaftlich machbar

GaN-Transistoren mit Fins

Heute verfügbare GaN-Transistoren haben alle eine laterale Struktur. Doch vertikale…

Rohm

Neuer Industrial Sales Director

Seit dem 1. Februar 2018 ist Dr. Andreas Bauknecht Industrial Sales Director bei Rohm. In…

Rogers PES: neue curamik-Substrate

Wärmemanagement für erhöhte Leistungsdichte-Anforderungen

Als Grundmaterial eines Schaltungsträgers kommt leistungsfähigen keramischen Substraten…

VisIC Technologies kooperiert mit TSMC

Erstes GaN-auf-Silizium-Powermodul schafft 1200 V/50 A

VisIC Technologies bemustert gerade ihr Halbbrücken-Modul VM40HB120D mit selbstsperrenden…

GaN-Leistungshalbleiter

Ein Schritt in Richtung Massenproduktion

STMicroelectronics cooperiert mit Macom um künftig GaN-on-Silicon-Wafer in Serie zu…

Rohm Semiconductor

Europäisches Testlabor für Leistungselektronik eröffnet

Technische Unterstützung für europäische Kunden: Rohm eröffnet bei Düsseldorf ein…