Leistungshalbleiter

Power Integrations

Vereinfachtes Schaltungsdesign, kürzere Time-to-Market

Power Integrations‘ jüngster Gate-Treiber liefert bis zu 5 A, vereinfacht das Systemdesign und spart damit Kosten. Er zeichnet sich durch umfassende interne Schutzfunktionen aus. Unter Verwendung externer Booster ist sein Gate-Spitzenstrom bis auf 60…

650-V-IGBTs der dritten Generation

Kaum noch Oszillationen im Strom- und Spannungsverlauf

Dass Halbleiterbausteine wie IGBTs immer leistungsfähiger werden müssen, das ist kein…

Leistungshalbleitermarkt 2018

Industrieelektronik und Automotive pushen den Markt

Lieferengpässe bei MOSFETs und Gleichrichtern sowie Schwierigkeiten bei der Versorgung mit…

Galliumnitrid / MIT

Fin-Gates machen vertikalen GaN-Transistor möglich

Heute verfügbare GaN-Transistoren haben alle eine laterale Struktur. Doch vertikale…

Übernahme abgeschlossen

Intersil heißt ab 1. Januar Renesas

Nach rund einem Jahr ist der Übernahmeprozess von Intersil durch Renesas abgeschlossen. Am…

Ladeschaltung

Single-Chip-Lösung für USB Typ C

Maxim stellt einen Ladebaustein für USB-Typ-C-Geräte vor, der zwei Li-Ion-Zellen in Serie…

FMCW-Radarsysteme

Komplexe Signalverarbeitung im Basisband

Typische Eingangsstufen in Radarsystemen verarbeiten den Realteil des Empfangssignals in…

STMicroelectronics

Einphasige Vollbrücke in einem Gehäuse

In dem 13 mm x 11 mm großen PWD13F60 von STMicroelectronics ist eine komplette einphasige…

IEDM 2017

Widerstand von SiC-MOSFETs um zwei Drittel senken

Forscher von Mitsubishi Electric und der Universität von Tokyo haben die Auswirkungen…

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung zu MOSFET & Co.

MOSFET & Co. sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch…