Leistungshalbleiter

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Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung in Sachen MOSFET, IGBT & Co

Wie lässt sich das Maximum aus Leistungshalbleitern herausholen und welche Fehler sollte man beim Einsatz dieser Bauteile auf jeden Fall vermeiden? Nach dem Erfolg des 1. »Anwenderforums Leistungshalbleiter« findet die zweite Veranstaltung dieser…

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© IHS Markit Technology

IHS: HV-MOSFETs über 400 V sehr gefragt

Eine Allocation scheint abgewendet zu sein

Lieferengpässe bei MOSFETs, vor allem im HV-Bereich, und Wafern kennzeichnen für Richard…

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© ALLOS Semiconuctor

Epi-Wafer von Allos Semiconductor

GaN-auf-Si für 1200 V in Sicht

Allos Semiconductor aus Dresden hat Prototypen einer 1200-V-Plattform für…

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© TTI

Massiver Kapazitätsausbau

Wafer- und Bauteilverknappung bremsen Wachstum

Massive Mehrbedarfe im Bereich Automotive und Industrieelektronik haben die Lieferzeiten…

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© Power Integrations

Power Integrations

Vereinfachtes Schaltungsdesign, kürzere Time-to-Market

Power Integrations‘ jüngster Gate-Treiber liefert bis zu 5 A, vereinfacht das Systemdesign…

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650-V-IGBTs der dritten Generation

Kaum noch Oszillationen im Strom- und Spannungsverlauf

Dass Halbleiterbausteine wie IGBTs immer leistungsfähiger werden müssen, das ist kein…

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© IHS Markit Technology

Leistungshalbleitermarkt 2018

Industrieelektronik und Automotive pushen den Markt

Lieferengpässe bei MOSFETs und Gleichrichtern sowie Schwierigkeiten bei der Versorgung mit…

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© Tomás Palacios / MIT

Galliumnitrid / MIT

Fin-Gates machen vertikalen GaN-Transistor möglich

Heute verfügbare GaN-Transistoren haben alle eine laterale Struktur. Doch vertikale…

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© Renesas

Übernahme abgeschlossen

Intersil heißt ab 1. Januar Renesas

Nach rund einem Jahr ist der Übernahmeprozess von Intersil durch Renesas abgeschlossen. Am…

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Ladeschaltung

Single-Chip-Lösung für USB Typ C

Maxim stellt einen Ladebaustein für USB-Typ-C-Geräte vor, der zwei Li-Ion-Zellen in Serie…

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