Landgericht München I hat entschieden

Infineon gewinnt Patentverfahren gegen Innoscience

4. August 2025, 08:41 Uhr | Iris Stroh
Patente
© Adobe Stock

Das Landgericht München I hat in einem Patentverletzungsverfahren zwischen Infineon und Innoscience im Bereich der Galliumnitrid (GaN)-Technologie zugunsten von Infineon Technologies erstinstanzlich entschieden.

Diesen Artikel anhören

In dem Verfahren geht es um die unerlaubte Nutzung der von Infineon patentierten GaN-Technologien durch Innoscience. GaN spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Stromversorgungssysteme für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Technologien für erneuerbare Energien, Rechenzentren, Industrieautomatisierung und Elektrofahrzeuge.

Mit der heute ergangenen Entscheidung hat das Landgericht München I festgestellt, dass ein Patent von Infineon durch GaN-Produkte, die Innoscience in Deutschland anbietet, verletzt wird. Mit dieser Entscheidung wird Innoscience insbesondere verboten, die patentverletzenden Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen und zu vermarkten. Darüber hinaus verpflichtet das Gericht Innoscience zur Zahlung von Schadenersatz an Infineon.

Das heutige Gerichtsurteil unterstreicht den Wert von Infineons Leistungen im Bereich der GaN-Technologie sowie das anhaltende Engagement des Unternehmens für einen fairen Wettbewerb. »Die Entscheidungen zeigen die Stärke des Patentportfolios von Infineon und sie beweisen darüber hinaus, dass wir unser geistiges Eigentum energisch verteidigen«, sagt Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business Line von Infineon.

Infineon baut kontinuierlich seine Position als führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt aus. Das Unternehmen verfügt über das branchenweit breiteste Patent-Portfolio. Es umfasst rund 450 GaN-Patentfamilien. Infineon setzt sich für die Förderung von Innovationen ein und treibt die Entwicklung von Halbleitertechnologien konstant voran, um die drängendsten Herausforderungen der Welt – von der Dekarbonisierung bis zur digitalen Transformation – zu bewältigen.


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

GaN-Mikrowechselrichter

GaN-Mikrowechselrichter von Enphase

Höhere Schaltfrequenz, höherer Wirkungsgrad

Hochregallager

مجال الإلكترونيات الصناعية

أزمة نكسبيريا في سوق الإلكترونيات الصناعية

Hochregallager

工业电子领域

业内人士谈Nexperia危机的影响

Hochregallager

Bereich Industrieelektronik

Brancheninsider zu den Auswirkungen der Nexperia-Krise

Automobilfertigung - fast fertige Autos am Fließband

أزمة نكسبيريا

القضية الاقتصادية المثيرة في نيميغن

N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Chips von Toshiba der Serie DTMOSVT 600 V

Gehäuse mit höherer Effizienz

Neue N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba

coolsic-mosfet-easy-2c Leistungsmodule von Infineon

Höhere Effizienz und Lebensdauer

SiC-Leistungsmodule im EasyPack C-Gehäuse

Dick Schoof, Ministerpräsident Niederlande

Aktuelle Entwicklungen im Überblick

Wie geht es mit Nexperia weiter?

Automobilfertigung - fast fertige Autos am Fließband

Nexperia-Krise

Der Wirtschaftskrimi von Nijmegen

Logo von STMicroelectronics

GaN in Motorsteuerungs-Anwendungen

Hervorragende Alternative zu MOSFETs und IGBTs

Lingji / Infineon

إنفينيون ولينغجي توقّعان مذكرة تفاهم

لتطوير محولات GaN لمركبات الكهرباء الخفيفة

Bild zeigt einen Ladestecker und die neuen Nexperia-Komponenten

Nexperia: 100-V-MOSFETs für Automotive

CCPAK1212-Gehäuse erhöhen Leistungsdichte in 48-V-Designs

Das Bild zeigt die beiden Logos von Ideal Semiconductor und Polar Semiconductor

Fertigungspartner gefunden

iDEAL Semiconductor arbeitet mit Polar Semiconductor zusammen

niedriger Widerstand 200-V-SuperQ-MOSFET von iDEAL Semiconductor

iDEAL Semiconductor

Erstes Produkt der 200-V-SuperQ-MOSFET-Familie

Lingji / Infineon

Infineon und Lingji unterzeichnen MoU

GaN-Wechselrichter für leichte E-Fahrzeuge

Links Chefreporter Engelbert Hopf, rechts Iris Stroh, leitende Redakteurin, beide Markt&Technik. In der Mitte Balu Balakrishnan, Power Integrations

Power Integrations unter neuer Führung

Balu Balakrishnan: »Mit 70 sollte man es als CEO gut sein lassen«

Robin Lyle wird Vice President für Forschung und Entwicklung bei CGD

Cambridge GaN Devices

Industrieveteran Robin Lyle wird VP für Forschung und Entwicklung

150 V MOSFETS der 6. OptiMOS-Generation von Infineon Technologies

Infineon Technologies

Erweiterung der OptiMOS-6-Familie

aw

Infineon/Delta

Partnerschaft für hochdichte Leistungsmodule

Im Bild (von links nach rechts): Engelbert Hopf, Markt&Technik, Dr. Alex Lidow, EPC, Iris Stroh, Markt&Technik

Bidirektionale GaN-Schalter über 600 V

»Humanoide Roboter sind eine faszinierende GaN-Anwendung«

Flagge USA und Europa und Schild mit Strafzöllen

Politischer Deal mit Unsicherheiten

15 Prozent US-Importzölle: So reagiert die Elektronikbranche

Schmuckbild, das eine Umsatzsteigerung zeigt

Q3: Umsatz im Prognosebereich

Infineon erwartet im laufenden Quartal Zuwächse

Marktrecherche LHL

Käufermarkt in der Leistungselektronik

Kurze Lieferzeiten, niedrige Preise und neue Wettbewerber

Infineon Technologies

Flexibel und zuverlässig

Genauer induktiver Sensor fürs Autofahrwerk

Infineon Technologies

Für Autos und AR-Brillen

Infineon setzt auf Laser-Beam-Scanner