Cambridge GaN Devices
Industrieveteran Robin Lyle wird VP für Forschung und Entwicklung
Cambridge GaN Devices holt mit Robin Lyle als Vice President für Forschung und Entwicklung einen bekannten Veteranen der Leistungshalbleiterindustrie an Bord.
Für Dr. Giorgia Longobardi, Gründerin und CEO von CGD, stärkt die Berufung von Robin Lyle Cambridge GaN Devices vor allem im Bereich Hochleistungssysteme, »wo GaN eine vielversprechende Zukunft hat«. Lyle hatte in seinen früheren Positionen über 30 Jahre hinweg an Hochleistungssystemen, Modulen und Gate-Treibern gearbeitet, die nach seinen Worten, »alle zunehmend von den Vorteilen profitieren, die GaN in Bezug auf Größe, Effizienz und Geschwindigkeit bietet«.
GaN wird nach seiner Überzeugung in Zukunft Anwendungen ermöglichen, »die bisher nicht möglich waren, und unsere ICeGaN-ICs machen durch die Integration der Treiber-Schnittstellenschaltung und der Schutzfunktion auf demselben GaN-Chip wie der Schalter, die Implementierung von GaN-basierten Designs sehr einfach«.
Lyle hatte zuletzt beim Leistungsmodulhersteller Dynex gearbeitet. Durch seine offizielle Position an der University of Nottingham, wo er Mitglied des Industriebeirats für Elektrotechnik ist, an der Gestaltung des Lehrplans mitwirkt und mit Studenten zusammenarbeitet, unterhält Lyle auch enge Beziehungen zur Wissenschaft.
Für Robin Lyle ist es spannend, »Teil des internationalen und vielfältigen Teams hier bei CGD zu sein und an der nächsten Generation der Energietechnologie mitzuwirken. Unser Fokus liegt darauf, weiterhin neuartige GaN-Lösungen zu entwickeln, die den Herausforderungen unserer Kunden bei der Steigerung ihrer Leistungsfähigkeit gerecht werden und GaN benutzerfreundlich machen.