Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs vor Kurzschluss schützen

Im Vergleich zu IGBTs aus Silizium stellen äquivalente MOSFETs aus Siliziumkarbid höhere Anforderungen an den Kurzschlussschutz. Warum das so ist und welche verschiedenen Möglichkeiten es gibt, die Bauteile im Kurzschlussfall zu schützen, erklärt…

Treiber-ICs

Extrem schnelle GaN-Transistoren richtig steuern

Galliumnitrid-Transistoren schalten viel schneller und haben damit weniger Verluste als…

Infineon / Siliziumkarbid

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste…

Für Industrie-Motor- und Pumpenantriebe

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse

Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid…

UnitedSiC / Siiliziumkarbid

Vierte Generation an SiC-Transistoren

Mit vier Bauteilen mit 750 V Sperrspannung eröffnet UnitedSiC die vierte Generation ihrer…

48 V für Rechenzentren

GaN pusht High-Density-Server

Für High Performance Computing (HPC), KI, Cloud Computing oder Big Data benötigen…

Galliumnitrid / Transphorm

Ist GaN wirklich zuverlässig?

Auch wenn Galliumnitrid (GaN) viele Vorteile zu bieten hat, bleiben Entwickler beim…

Power-Highlights auf der electronica

Automotive-GaN-FET mit 99% Wirkungsgrad

Texas Instruments stellt einen neue 600 und 650 V-GaN-FET für die Automotive-Branche und…

Liefervertrag für Siliziumkarbid

Infineon sichert sich SiC-Boules von GT Advanced Technologies

Einen über fünf Jahre laufenden Liefervertrag für SiC-Boules (Siliziumkarbid-Rohkristalle)…

Halbleiter-Lieferkette

Infineon sichert sich SiC-Quelle bei GT Advanced

SiC boomt, doch das Rohmaterial dafür ist knapp. Infineon hat mit GT Advanced einen…