Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid

GeneSiC präsentiert dritte Generation SiC-MOSFETs

G3R heißt die dritte Generation an SiC-MOSFETs mit 1200 V Sperrspannung, die GeneSiC nun vorgestellt hat. Die derzeit erhältlichen 15 Typen haben einem Durchlasswiderstand bis hinunter zu 20 mΩ, sind deutlich robuster als ihre Vorgänger und nach AEC-Q101 qualifiziert.

GaN Systems

GaN-Transistoren durchbrechen 1-Dollar-Schallmauer

GaN Systems hat bekannt gegeben, dass seine GaN-Transistoren für niedrige Ströme und...

Infineon / MOSFETs

Zweite Generation an StrongIRFET für 80V und 100 V

Eine verbesserte Generation an StrongIRFETs hat Infineon Technologies vorgestellt. Die...

Lieferzeiten und Preise bei MOSFETs

Heute schon den Bedarf für Q1/2022 bestellen

Aus der sich seit Monaten abzeichnenden allgemeinen Bauteilverknappung sticht für die...

ON Semiconductor

Verbesserte Siliziumkarbid-MOSFETs für 650 V

Auf einem neuen Zellendesign und einer modernen Dünnwafer-Technologie basieren die...

Leistungshalbleiter

Nexperia baut 300-mm-Waferfab bei Shanghai

Um seine ehrgeizigen Wachstumspläne umzusetzen, wird Nexperia für insgesamt 1,85 Mrd....

Navitas Semiconductor / Galliumnitrid

Neues GaNFast-IC für bis zu 500 W

Mit dem NV6128 hat Navitas Semiconductor seine Familie an GaNFast-Power-ICs nach oben...

Der Markt für Leistungshalbleiter

Vom Jahr der Erholung zu einem der Knappheit

Mit einem Minus von etwa 1,5 Prozent sank der weltweite Umsatz mit Leistungshalbleitern...

Rohm Semiconductor

P-Kanal-MOSFETs mit niedrigerem Einschaltwiderstand

Um 24 P-Kanal-MOSFETs mit einer Spannungsfestigkeit von –40 V und –60 V hat Rohm seine...

Leistungshalbleiter

Infineon verbaut SiC-Dioden in 650-V-IGBTs

Als Brücke zwischen reinen Siliziumlösungen und hochleistungsfähigen SiC-MOSFET-Designs...