Leistungshalbleiter

Galliumnitrid-Halbleiter

Weniger Defekte in GaN-Kristallen

Üblicherweise werden GaN-Kristalle aus der Dampfphase per MOCVD abgeschieden. Doch die Defektdichte ist relativ hoch. Nun haben japanische Forscher des NIMS und der Tokyo Tech ein Verfahren entwickelt, das eine flüssige Mischung der Rohstoffe…

Halbleitermarkt 2021

Wachstum ist „unvermeidbar“

Stephan zur Verth, Vorsitzender der Fachgruppe Halbleiter-Bauelemente im ZVEI-Fachverband…

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei 15…

Martin Schneider-Ramelow, Fraunhofer IZM

Drahtbonding hat noch lange nicht ausgedient

Obwohl es Drahtbonden seit mehr als einem halben Jahrhundert gibt, besitzt diese…

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs vor Kurzschluss schützen

Im Vergleich zu IGBTs aus Silizium stellen äquivalente MOSFETs aus Siliziumkarbid höhere…

Treiber-ICs

Extrem schnelle GaN-Transistoren richtig steuern

Galliumnitrid-Transistoren schalten viel schneller und haben damit weniger Verluste als…

Infineon / Siliziumkarbid

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste…

Für Industrie-Motor- und Pumpenantriebe

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse

Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid…

UnitedSiC / Siiliziumkarbid

Vierte Generation an SiC-Transistoren

Mit vier Bauteilen mit 750 V Sperrspannung eröffnet UnitedSiC die vierte Generation ihrer…

48 V für Rechenzentren

GaN pusht High-Density-Server

Für High Performance Computing (HPC), KI, Cloud Computing oder Big Data benötigen…