Vertikal integriert Fertigungskette
China bei SiC-Rohwafern nun unabhängig
Chinas erste vertikal integrierte Fertigungskette für Siliziumkarbid (SiC) hat Hunan San'an Semiconductor nun eingeweiht. Vor dem Hintergrund der US-Blockade sei dies ein weiterer Baustein, um die Versorgungssicherheit bei Halbleitern in China zu gewährleisten.
Seit dem ersten Spatenstich im Juli 2020 hat Hunan San'an Semiconductor weniger als ein Jahr benötigt, um eine vertikal integrierte Fertigungskette für Siliziumkarbid aufzubauen. Somit deckt sie sämtliche Prozessschritte von der Kristallzucht (SiC-Boules) über die Prozessierung der Wafer bis hin zu Packaging und Test ab. Der Output wird mit bis zu 30.000 6-Zoll-SiC-Wafer pro Monat beziffert.
Dazu hat das Unternehmen umgerechnet 2,1 Mrd. Euro in den Standort im Changsha Hightech Industrial Park in der zentralchinesischen Provinz Hunan mit einer Fläche von rund 667.000 m² investiert. Hunan San'an Semiconductor erwartet, einen Jahresumsatz von umgerechnet 1,56 Mrd. Euro zu generieren sowie Tausende von Arbeitsplätzen direkt und fast 10.000 Arbeitsplätze in angrenzenden Branchen und Kommunen zu schaffen.
Berichten zufolge ist das Unternehmen das erste in China und das – nach Cree und Rohm – weltweit dritte vertikal integrierte Unternehmen im Bereich Siliziumkarbid. Dadurch sollen die Kunden qualitativ hochwertige und termingerechte Lieferungen erhalten und gleichzeitig die Vorteile einer kostengünstigen Großserienfertigung nutzen können.
China hat die Entwicklung von Chips der dritten Generation beschleunigt, um den Sanktionen und Verboten der USA zu begegnen. Außerdem sei laut der staatsnahen chinesischen Zweitung Global Times eine regelrechte Flut von Kapital nach China geflossen, seit die Regierung im September letzten Jahres in ihrem 14. Fünfjahresplan (2021-25) angekündigt hat, die Halbleiterindustrie besonders zu unterstützen.
Fast gleichzeitig zur SiC-Fab in Hunan wurde das National Third Generation Semiconductor Technology Innovation Center in Nanjing eingeweiht. Ziel ist es, eine international führende, unabhängige und eigenentwickelte Basis für die Halbleiterindustrie der dritten Generation aufzubauen.