Leistungshalbleiter

Toshiba Electronics Europe

Neues Leistungselektronik-Labor in Deutschland

Ende Dezember 2021 hat Toshiba Electronics Europe ein High-Voltage-Labor eröffnet, um einen schnelleren und eingehenderen Support für den wachsenden Kundenstamm in Europa zu bieten. Gleichzeitig investiert das Unternehmen dieses Jahr in weiteres…

Elektromobilität

Bosch startet Serienfertigung von Siliziumkarbid-Chips

Nach zweijähriger Entwicklung hat Bosch die Großserienfertigung von Leistungshalbleitern…

Chinesischer GaN-on-Si-Chiphersteller

Innoscience eröffnet Büros in den USA und Europa

Innoscience Technology mit Hauptsitz in Suzhou, China, hat Design-Service- und…

Dr. Thomas Reisinger, Infineon

»300 Millimeter is coming home«

Im September 2021 hat Infineon seine neue 300-mm-Wafer-Fab in Villach eröffnet.…

Leistungs-MOSFETs von Infineon

Kleines PQFN-Gehäuse mit Source-Down-Technologie

Üblicherweise ist bei Leistungs-MOSFETs der Drain-Anschluss unten, was aber zuweilen…

Galliumnitrid (GaN)

STMicroelectronics präsentiert erste PowerGaN-Produkte

Eine neue Familie von GaN-Leistungstransistoren mit 6%0 V hat STMicroelectronics…

Neue 600-V-MOSFET-Familie von onsemi

SuperFET V in verschiedenen Ausprägungen erhältlich

Mit SuperFET V hat onsemi eine neue Serie von Silizium-MOSFETs mit 600 V Sperrspannung…

STMicroelectronics

Dritte Generation an SiC-MOSFETs qualifiziert

STMicroelectronics hat die dritte Generation seiner SiC-Technologieplattform vollständig…

Toshiba

Neuartiges Mixed-Signal-Treiber-IC für SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs können die Verluste in leistungselektronischen Systemen deutlich verringern.…

Advertorial

Brennstoffzellen effizient testen und simulieren

Funktionsgenerator, Autoranging und bis über 96 % Netzrückspeisung: Lösungen von EA…