Leistungshalbleiter

Dr. Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik

Auch wenn GaN-Bauelemente seit einigen Jahren auf dem Markt verfügbar sind, sind dies nur erste Schritte. Galliumnitrid birgt noch viel Potenzial. Welche dies sind, zeigte Dr. Richard Reiner vom Fraunhofer IAF in einem Vortrag auf dem Anwenderforum…

Soitec und A*STAR

Prozess für neue SiC-MOSFET-Generationen

Das Institute of Micorelectronics von A*STAR in Singapur und Soitec entwickeln gemeinsam…

Dr. Gerald Paul, Vishay

»Wir bauen ein 300-mm-MOSFET-Werk in Itzehoe«

Vishay baut für 250 bis 300 Millionen Dollar in Deutschland ein 300-mm-Werk für MOSFETs…

Andreas Urschitz, Infineon Technologies

Galliumnitrid prägt die Energieeffizienz

Als Division President PSS ist Andreas Urschitz bei Infineon für Silizium-MOSFETs und…

Vishay mit SiC-Dioden und -MOSFETs

»Wir bauen ein 300-mm-MOSFET-Werk in Itzehoe«

Vishay baut für 250 bis 300 Millionen Dollar in Deutschland ein 300-mm-Werk für MOSFETs…

Toshiba Electronics Europe

Neues Leistungselektronik-Labor in Deutschland

Ende Dezember 2021 hat Toshiba Electronics Europe ein High-Voltage-Labor eröffnet, um…

Elektromobilität

Bosch startet Serienfertigung von Siliziumkarbid-Chips

Nach zweijähriger Entwicklung hat Bosch die Großserienfertigung von Leistungshalbleitern…

Chinesischer GaN-on-Si-Chiphersteller

Innoscience eröffnet Büros in den USA und Europa

Innoscience Technology mit Hauptsitz in Suzhou, China, hat Design-Service- und…

Dr. Thomas Reisinger, Infineon

»300 Millimeter is coming home«

Im September 2021 hat Infineon seine neue 300-mm-Wafer-Fab in Villach eröffnet.…

Leistungs-MOSFETs von Infineon

Kleines PQFN-Gehäuse mit Source-Down-Technologie

Üblicherweise ist bei Leistungs-MOSFETs der Drain-Anschluss unten, was aber zuweilen…