Leistungshalbleiter

Cambridge GaN Devices

Rechenzentren mit Galliumnitrid »grüner« machen

Mit 400 TWh benötigen Rechenzentren etwa zwei Prozent des weltweit erzeugten elektrischen Stroms. Bis zum Ende des Jahrzehnts dürfte sich dieser Wert verdoppeln. Mithilfe einer proprietären GaN-Technologie will Cambridge GaN Devices deren CO2-Emissionen um über fünf Megatonnen jährlich senken.

Ausschließlich für Leistungshalbleiter

Toshiba baut neue 300-mm-Waferfab

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Fuji Electric

Investitionen in die Produktion von SiC-Leistungshalbleitern

Um die Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern zu erhöhen, will Fuji Electric in seinen...

Themenwoche Leistungselektronik

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Die Themenwoche »Leistungselektronik und Stromversorgung« liegt hinter uns. Hier finden...

Dr. Thomas Reisinger, Infineon Austria

»300 Millimeter is Coming Home«

Im September 2021 hat Infineon seine neue 300-mm-Waferfab in Villach eröffnet. Zu...

Prognosen von GaN Systems für 2022

Mit Galliumnitrid den Klimazielen näher kommen

Die Stromerzeugung ist für 43 Prozent der globalen Kohlendioxid-Emissionen...

GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafer

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IVWorks hat das Geschäft und die Technologie von GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafern vom...

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Silizium-MOSFETs mit GaN-Performance

Weil Silizium-MOSFETs üblicherweise eine sehr hohe Rückwärtserholung haben, schalten...

Wolfspeed über Bau der nächsten Fab

»Der Bau eines Werks in Europa ist absolut realistisch«

In vier Jahren hat Gregg Lowe, CEO von Wolfspeed, das ursprüngliche Mutterunternehmen...

Dr. Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik

Auch wenn GaN-Bauelemente seit einigen Jahren auf dem Markt verfügbar sind, sind dies...