Leistungshalbleiter

Galliumnitrid (GaN)

STMicroelectronics präsentiert erste PowerGaN-Produkte

Eine neue Familie von GaN-Leistungstransistoren mit 6%0 V hat STMicroelectronics vorgestellt. Das erste Produkt des PowerGaN-Portfolios wird bereits produziert, weitere Bausteine mit unterschiedlichen Kenndaten und in verschiedenen Gehäusen sollen…

Neue 600-V-MOSFET-Familie von onsemi

SuperFET V in verschiedenen Ausprägungen erhältlich

Mit SuperFET V hat onsemi eine neue Serie von Silizium-MOSFETs mit 600 V Sperrspannung…

STMicroelectronics

Dritte Generation an SiC-MOSFETs qualifiziert

STMicroelectronics hat die dritte Generation seiner SiC-Technologieplattform vollständig…

Toshiba

Neuartiges Mixed-Signal-Treiber-IC für SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs können die Verluste in leistungselektronischen Systemen deutlich verringern.…

Advertorial

Brennstoffzellen effizient testen und simulieren

Funktionsgenerator, Autoranging und bis über 96 % Netzrückspeisung: Lösungen von EA…

Yole Développement

Elektromobilität befeuert das Packaging von Power-Modulen

Das Design von Power-Modulen und insbesondere der Packaging-Ansatz sind das Herzstück von…

Neue OptiMOS-Generation von Infineon

Neue 100-V-MOSFETs für noch niedrigere Verluste

Mit OptiMOS 6 hat Infineon eine neue Generation an 100-V-MOSFETs vorgestellt. Gegenüber…

Leistungshalbleiter

SiC-Bedarf explodiert

Vor dem Hintergrund der sich weltweit vollziehenden Energie- und Mobilitätswende, steigt…

Siliziumkarbid-Dioden

Nexperia startet ins SiC-Zeitalter

Nachdem Nexperia vor genau zwei Jahren sein Produktportfolio um Galliumnitrid-Transistoren…

Wirkungsgrad und Ökologie

Effizientere Leistungswandler dank SiC-Transistoren

In vielen Leistungswandlungs-Anwendungen bringen AC/DC-Wandler-Topologien bei hohen…