Neue Wafer-Fab in Malaysia
Infineon investiert mehr als 2 Mrd. Euro für SiC und GaN
Mehr als 2 Mrd. Euro investiert Infineon in ein drittes Modul am Standort Kulim, Malaysia, vor allem für die Fertigung von Produkten auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Dadurch soll auch die Resilienz der Lieferkette bei Wide-Bandgap-Halbleitern gestärkt werden.
Durch den Aufbau weiterer Fertigungskapazitäten im Bereich der Wide-Bandgap-Halbleiter (SiC und GaN) will Infineon seine führende Position auf dem Markt für Leistungshalbleiter stärken. Dazu investiert das Unternehmen mehr als 2 Mrd. Euro in eine neue Frontend-Fertigung in Kulim, Malaysia. Bei voller Auslastung wird es 2 Mrd. Euro weiteren Jahresumsatz mit Produkten auf Basis von SiC und GaN ermöglichen.
»Mit dem Ausbau der SiC- und GaN-Kapazitäten bereitet sich Infineon auf das beschleunigte Wachstum des Markts für Verbindungshalbleiter vor«, sagt Jochen Hanebeck, Mitglied des Vorstands und Chief Operations Officer von Infineon. »Wir schaffen eine gewinnbringende Kombination mit dem Entwicklungs-Kompetenzzentrum Villach und der kosteneffizienten Produktion von SiC- und GaN-Leistungshalbleitern in Kulim.« Zwei Standorte mit Fertigungskompetenzen im Bereich der Wide-Bandgap-Halbleiter dürften auch die Resilienz der Lieferkette stärken.
Bei voller Auslastung wird Kulim 3 etwa 900 hochwertige Arbeitsplätze schaffen. Im Juni 2022 sollen die Bauarbeiten starten und die neue Fabrik soll im Sommer 2024 ausrüstungsbereit (ready for equipment) sein. Die ersten gefertigten Wafer dürften die Fertigung im zweiten Halbjahr 2024 verlassen. Die Investition in Kulim wird Prozesse mit großer Wertschöpfungstiefe umfassen, insbesondere Epitaxie sowie die Vereinzelung von Wafern.
Umwidmung von Equipment in Villach
Durch die Umwandlung existierender Anlagen für Silizium-Halbleiter in den kommenden Jahren wird der Standort in Villach weiterhin als Innovationsbasis und globales Kompetenzzentrum für Verbindungshalbleiter dienen. Durch die Wiederverwendung von nicht-spezifischer Ausrüstung werden bestehende 150- und 200-mm-Silizium-Fertigungslinien auf SiC and GaN umgerüstet. Gegenwärtig bereitet sich der Standort Villach auf weitere Wachstumsmöglichkeiten vor.