Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon präsentiert verbesserte CoolSiC-Technologie

Mit dem M1H hat Infineon einen Siliziumkarbid-MOSFET-Chip für 1200 V vorgestellt, der ein größeres Betriebsfenster für die Gate-Spannung aufweist. Dadurch sinkt der On-Widerstand bei gegebener Chipgröße, und es macht ihn robuster gegenüber Spannungsspitzen am Gate.

Microchip Technology

SiC-MOSFET und -Schottky-Diode für 3,3 kV

Gerade in den Bereichen Transportwesen, Energieversorgung und Industrie sind...

Vertikale GaN-Transistoren

Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine

Bislang gibt es am Markt nur GaN-Transistoren in der lateralen HEMT-Struktur, weil...

Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine...

Siliziumkarbid

Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer

Bislang hat Showa Denko SiC-Rohwafer eingekauft, um daraus SiC-Epitaxiewafer zu...

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

GaN-basierte Bauelemente sind mittlerweile zwar etabliert, doch sind noch einige Hürden...

Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für...

Schaltenergien bestimmen

Kalorimetrie bei SiC-MOSFETs nutzen

Um den Wirkungsgrad zu bestimmen und das Wärmemanagement zu dimensionieren, ist es...

Siliziumkarbid-Wafer

II-VI investiert 1 Milliarde Dollar in Wafer-Fertigung

In seine Herstellung von SiC-Substraten und -Epitaxie-Wafern an den Standorten Easton...

Wide-Bandgap-Halbleiter

Soitec erweitert Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid

Um SiC-Wafer mit ihrer proprietären SmartCut-Technologie zu fertigen, wird Soitec an...