Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Wafer

II-VI investiert 1 Milliarde Dollar in Wafer-Fertigung

In seine Herstellung von SiC-Substraten und -Epitaxie-Wafern an den Standorten Easton und Kista wird II-VI in den nächsten zehn Jahren eine Milliarde US-Dollar investieren. Bis 2027 soll der Standort Easton pro Jahr das Äquivalent von einer Million 150-mm-Wafern herstellen können.

Wide-Bandgap-Halbleiter

Soitec erweitert Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid

Um SiC-Wafer mit ihrer proprietären SmartCut-Technologie zu fertigen, wird Soitec an...

Simulationswerkzeug von Infineon

Lebensdauer von Power-Modulen automatisiert vorhersagen

Für industrielle Kunden gewinnt die Abschätzung der Lebensdauer von Leistungsmodulen in...

Microchip

SSD-Controller mit »Cloud-Ready«- und Sicherheitsfunktionen

Den neuen Flash-Speicher-Controller von Microchip ist für SDD-Laufwerke mit einem...

SiC- und GaN-Komponenten

48 Prozent Wachstum pro Jahr

Der Umsatz mit SiC- und GaN-Komponenten wächst laut TrendForce von 2021 bis 2025...

Marktstudie Leistungshalbleiter

Amazon-Gutscheine zu gewinnen!

Hiermit laden wir Sie ein, sich bis zum 31. März 2022 an unserer großen Marktstudie...

Interview mit Armin Derpmanns, Toshiba

»Wir fokussieren uns jetzt voll auf Power«

Gerade im Jahr 2021 ist bei Toshiba viel passiert. Markt&Technik nahm die Eröffnung des...

Studie von Knometa Reserach

Zahl der 300-mm-Waferfabs steigt bis 2026 um 25 Prozent

153 Halbleiter-Fabs weltweit konnten Ende letzten Jahres 300-mm-Wafer prozessieren. Bis...

Siliziumkarbid bekommt Konkurrenz

Transphorm zeigt 1200-V-GaN-Transistor auf der ISPSD

Die neuesten Forschungsergebnisse für sein 1200-V-GaN-Bauelement wird Transphorm auf...

Chip-Krise

Lenovo sieht Entspannung bei Engpässen

Lenovo sieht eine Entspannung bei der Bauteile-Knappheit. Es gebe zwar immer noch...