Europäische GaN-Foundry

BelGaN erwirbt belgische Wafer-Fab von onsemi

14. Februar 2022, 09:51 Uhr | Ralf Higgelke
BelGaN, Gallium Nitride
© BelGaN

BelGaN hat die Waferfab von onsemi im belgischen Oudenaarde übernommen, um diese zu einer führenden europäischen Foundry für GaN-Leistungshalbleiter zu transformieren. Dies soll der Grundstein für ein europäisches GaN Valley sein.

Diesen Artikel anhören

BelGaN hat alle Anteile an der ON Semiconductor Belgium von onsemi übernommen. Das Team und der Standort in Oudenaarde, der 1983 als Mietec gegründet wurde, hat sich auf die Fertigung von Halbleitern für die Automobilbranche spezialisiert. Innerhalb weniger Jahre soll der Standort nun von einer reinen Silizium- in eine GaN-Fertigung umgewandelt werden.

Die Vision von BelGaN besteht darin, eine führende 6- und 8-Zoll-GaN-Foundry zu werden, die GaN-Technologien entwickelt und entsprechende Produkte fertigt. In der Zukunft soll eine umfangreiche und vielseitige Roadmap mit neuen GaN-Technologien entwickelt und qualifiziert werden, die unter anderem den Anforderungen des Automobilmarktes gerecht werden sollen.

»Für mich ist es eine einmalige Gelegenheit, das GaN Valley in Belgien mitaufzubauen«, erklärte Dr. Alan Zhou, CEO von BelGaN. »Dazu wollen wir die Innovationen des Imec, einem weltweit führenden Forschungsinstitut im Bereich der GaN-Technologien, mit der Erfahrung aus über zehn Jahren Entwicklung von GaN-Technologien und über 30 Jahren Halbleiterfertigung in der Automobilindustrie des BelGaN-Teams kombinieren.«

»Wir sind stolz darauf, BelGaN ankündigen zu können, ein neues und spannendes Kapitel in der Geschichte unseres Halbleiterunternehmens in Belgien«, erklärte Rob Willems, General Manager und VP Operations von BelGaN. »Unsere mehr als 400 Mitarbeiter werden übernommen. Darüber hinaus will BelGaN expandieren und eine Vielzahl zusätzlicher Mitarbeiter einstellen, vom Techniker bis zum Ingenieur. GaN-Leistungschips werden in der Elektromobilität und in vielen anderen Sektoren eine entscheidende Rolle spielen und ein wichtiger Schritt in eine nachhaltigere Zukunft sein.«


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

Dr. Alex Lidow, CEO und Mitgründer von Efficient Power Conversion (EPC)

Vom MOSFET-Erfinder zum GaN-Pionier

Die zwei Leben des Alex Lidow

Navitas, GaNFast, half-bridge, GaNSense

Navitas Semiconductor

GaN-Halbbrücke mit GaNSense-Technologie

Efficiency, Power Electronics

Motorsteuerung mit GaN-Leistungs-ICs

Effizient, robust, kostengünstig

Texas Instruments, Gallium Nitride

Texas Instruments

Höhere Leistungsdichte dank integrierter GaN-Lösungen

AdobeStock_182239798_Preview

Neuartige Galliumnitrid-Bausteine

GaNz einfach wie Silizium

Vishay

Bond-Wireless-Verbindungen

Höhere Leistungsdichte in der Automobilelektronik

Giorgia Longobardi. Cambridge GaN Devices. PCIM Europe 2022

Interview mit Dr. Giorgia Longobardi

Neuartige GaN-Transistoren von Cambridge GaN Devices

60-V-TrenchFET-MOSFET mit On-Widerstand ab 1,7mOhm

Keine Spur von Entspannung auf dem Markt

Lieferzeiten und Preise ziehen weiter an

Nexperia, Semiconductors

Mangelware Leistungshalbleiter

Bis zu einem Jahr Lieferzeit für Halbleiter-Fertigungsequipment

Infineon, Batam

Weitere Investition in Südostasien

Infineon baut Backend-Fertigung massiv aus

Innoscience

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

Navitas, GaNFast, Gallium Nitride

APEC 2022 / Galliumnitrid

Navitas gewährt 20-Jahres-Garantie für GaNFast-ICs

II-VI Incorporated, Silicon Carbide, SiC, SiliconCarbide

Siliziumkarbid-Wafer

II-VI investiert 1 Milliarde Dollar in Wafer-Fertigung

Um nicht weniger als 48 Prozent pro Jahr wird der Umsatz mit SiC- und GaN-Komponenten bis 2025 laut TrendForce wachsen.

SiC- und GaN-Komponenten

48 Prozent Wachstum pro Jahr

wafer, semiconductors

Studie von Knometa Reserach

Zahl der 300-mm-Waferfabs steigt bis 2026 um 25 Prozent

Transphorm, Gallium Nitride, GaN, GalliumNitride

Siliziumkarbid bekommt Konkurrenz

Transphorm zeigt 1200-V-GaN-Transistor auf der ISPSD

Schmuckbild Shakehands 2_2022

Konsolidierung der Fertigung

onsemi verkauft Fab in Maine an Diodes

Toshiba

Toshiba

Integrierbarer Stromsensor für GaN-Halbbrücken

Efficient Power Conversion, EPC9165

Bidirektionaler DC-DC-Wandler

2-kW-Referenzboard von EPC und MPS

Infineon, Kulim

Neue Wafer-Fab in Malaysia

Infineon investiert mehr als 2 Mrd. Euro für SiC und GaN

Das XHP-2-Modul wurde in einer Avenio-Straßenbahn getestet.

Infineon

CoolSiC-Leistungsmodul reduziert Energiebedarf von Straßenbahnen

Navitas, Gallium Nitride, Sustainability

Nachhaltigkeitsbericht von Navitas

4 kg Kohlendioxid pro GaN-IC sparen

OVHcloud Rechenzentrum Datacenter

Cambridge GaN Devices

Rechenzentren mit Galliumnitrid »grüner« machen

Grispb/stock.adobe.com

Halbleiterfertigung in Europa

Enormer Investitionsbedarf – trotz über 150 Fabs

IVWorks, GaN, Gallium Nitride, GalliumNitride

GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafer

IVWorks übernimmt GaN-Wafertechnologie von Saint-Gobain

Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Dr. Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik

Innoscience, Gallium Nitride, Galliumnitride

Chinesischer GaN-on-Si-Chiphersteller

Innoscience eröffnet Büros in den USA und Europa

Navitas, GaNFast, Gallium Nitride

Navitas Semiconductor

GaNFast-ICs nun auch für bis zu 20 kW