Siliziumkarbid
Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer
Bislang hat Showa Denko SiC-Rohwafer eingekauft, um daraus SiC-Epitaxiewafer zu fertigen. Um auf die schnell wachsende Nachfrage nach Epitaxiewafern reagieren zu können und die Lieferkette zu stabilisieren, stellt es 6-Zoll-Rohwafer aus Siliziumkarbid nun auch selbst her.
Showa Denko gilt als Spezialist für den Epitaxie-Prozess für Siliziumkarbid-Wafer. Nun hat das Unternehmen mit der Massenfertigung von Siliziumkarbid-Wafern mit einem Durchmesser von 150 mm (6 Zoll) begonnen. Diese dienen als Grundlage für SiC-Epitaxiewafer, die zu SiC-Leistungshalbleitern weiterverarbeitet werden.
Bereits in der Vergangenheit hatte das Unternehmen eine eigene Fertigung von SiC-Wafern in Erwägung gezogen, das Ausgangsmaterial für SiC-Epitaxiewafer. Von 2010 bis 2015 hatte es am »Novel Semiconductor Power Electronics Project Realizing Low Carbon Emission Society« teilgenommen. Darüber hinaus übernahm Showa Denko im Jahr 2018 die mit SiC-Wafern verbundenen Aktiva der Nippon Steel & Sumitomo Metal Group (derzeitige Nippon Steel Group) und hatte seither Technologien für die Massenfertigung von SiC-Rohwafern entwickelt.
Da eine Vielzahl von Kunden die SiC-Epitaxiewafer von Showa Denko qualifiziert haben, die aus den hausintern hergestellten 6-Zoll-SiC-Wafern gefertigt wurden, hat das Unternehmen nun beschlossen, eine hausinterne Massenfertigung von 6-Zoll-SiC-Wafern zu starten. Andererseits wird Showa Denko weiterhin SiC-Wafer von seinen Partnern kaufen, um auf die schnell wachsende Nachfrage nach Epitaxiewafern reagieren zu können. Auf diese Weise will das Unternehmen die Bezugsquellen für SiC-Wafer diversifizieren und so eine stabile Lieferkette für Epitaxiewafer aufbauen.