Siliziumkarbid-MOSFETs
Infineon präsentiert verbesserte CoolSiC-Technologie
Mit dem M1H hat Infineon einen Siliziumkarbid-MOSFET-Chip für 1200 V vorgestellt, der ein größeres Betriebsfenster für die Gate-Spannung aufweist. Dadurch sinkt der On-Widerstand bei gegebener Chipgröße, und es macht ihn robuster gegenüber Spannungsspitzen am Gate.
Ihre erste Generation am SiC-MOSFETs hat Infineon um eine verbesserte Technologie erweitert. Der M1H-Chip für 1200 V Sperrspannung ist eine Weiterentwicklung der CoolSiC-Basistechnologie und ermöglicht laut Hersteller ein deutlich größeres Betriebsfenster für die Gate-Spannung, was den On-Widerstand bei einer gegebenen Chipgröße verbessert. Sie zeichnen sich durch On-Widerstände von 7 mΩ, 14 mΩ und 20 mΩ aus.
Gleichzeitig bietet der größere Gate-Betriebsbereich eine hohe Robustheit gegenüber treiber- und layoutbedingten Spannungsspitzen am Gate, ohne Einschränkungen selbst bei höheren Schaltfrequenzen. Spannungsüber- und -unterschwinger sind damit bereits abdeckt, das Gate muss nicht extra geschützt werden.
Des Weiteren erhöht sich mit einer maximalen temporären Sperrschichttemperatur von +175 °C die Robustheit, was eine höhere Leistungsdichte und Abdeckung von Überlastereignissen ermöglicht. Im Vergleich zur Vorgängerversion, dem M1, wurde beim M1H der interne Gate-Widerstands RG angepasst, um das Schaltverhalten leicht für die spezifische Anwendung optimieren zu können. Das dynamische Verhalten ist beim M1H-Chip gleich geblieben.
Zusammen mit der Chiptechnologie wurde auch die Aufbau- und Verbindungstechnik angepasst und in den Easy-Modulen und diskrete Gehäuse mit .XT-Verbindungstechnologie implementiert. Dies soll höhere Leistungsdichten erlauben und Entwicklungsingenieure in die Lage versetzen, ihre Systeme weiter zu optimieren.