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Interview mit Dr. Giorgia Longobardi

Neuartige GaN-Transistoren von Cambridge GaN Devices

23. Mai 2022, 11:19 Uhr | Ralf Higgelke
Giorgia Longobardi. Cambridge GaN Devices. PCIM Europe 2022
Dr. Giorgia Longobardi (links) im Gespräch mit elektroniknet-Redakteur Ralf Higgelke
© Componeers GmbH

Auf der PCIM Europe hat Cambridge GaN Devices (CGD) neuartige GaN-Transistoren vorgestellt, die sich genauso einfach und robust ansteuern lassen wie Silizium-MOSFETs. Darüber sprachen wir mit Dr. Giorgia Longobardi, CEO und Mitgründerin von CGD.

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Dr. Giorgia Longobardi: Neuartige GaN-Transistoren von CGD

© elektroniknet
Auf der PCIM Europe hat Cambridge GaN Devices (CGD) neuartige GaN-Transistoren, die sich genauso einfach und robust ansteuern lassen wie Silizium-MOSFETs. Darüber sprachen wir mit Dr. Giorgia Longobardi, CEO und Mitgründerin von CGD.

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