Wayon
Kompakter CSP-MOSFET
Der neue CSP 20V/17mOhm-Dual-N-KanalTrench-MOSFET im CSP-Gehäuse von Wayon nimmt eine Fläche von 1,5 mm2 ein.
Der CSP-MOSFET vom Typ WM4C62160A von Wayon (Vetrieb:TRS-Star) erfüllt insbesondere die hohen thermischen und elektrischen Anforderungen, die an Anwendungen mit höchstem Integrationslevel gestellt werden. Im Vergleich mit konventionell vergossenen Industrie-Kunststoffgehäusen mit Kupfer-Leadframe bietet ein Chip-Size-Package (CSP) Vorteile bezüglich der Effizienz, der thermischen Performance und der Zuverlässigkeit. Die hohe Integrationsdichte begünstigt ebenfalls das EMV-Verhalten des Gesamtsystems: Durch die niedrigen parasitären induktiven und kapazitiven Elemente werden unerwünschte hochfrequente Schwingungen in der Anwendung minimiert.