GaN-Mikrowechselrichter von Enphase
Höhere Schaltfrequenz, höherer Wirkungsgrad
Der kalifornische Mikrowechselrichter-Hersteller Enphase Energy fokussiert sich verstärkt 480-V-Netzkonfigurationen und dazu den im Herbst 2025 vorgestellten IQ9N-3P mit GaN- anstelle von Silizium-Leistungshalbleitern ausgestattet. Ergebnis, eine Steigerung des Wirkungsgrades auf 97,5 Prozent.
Erst im September letzten Jahres hatte der kalifornische Mikrowechselrichter-Hersteller Enphase Energy auf der Messe RE+ in Las Vegas den neuentwickelten Wechselrichter »IQ9N-3P« vorgestellt. Ende Dezember letzten Jahres erfolgte dann der Produktionsstart in den USA. Nun werden in den USA die ersten Geräte ausgeliefert.
Im Gegensatz zu bisherigen Lösungen kommen in diesem neuentwickelten Mikrowechselrichter GaN-Leistungshalbleiter anstelle von Silizium-Transistoren zum Einsatz. Das ergmöglicht deutlich höhere Schaltfrequenzen und erhöht den Wirkungsgrad des Geräts auf 97,5 Prozent.
»Der IQ9N-3P bringt die Modul-Level-Architektur von Enphase mit einem einfacheren, effizienteren Design auf Basis von GaN auf den 480-V-Gewerbe-Markt«, erläutert Aaron Gordon, Senior Vice President und General Manager der Systems Business Unit bei Enphase Energy.
Speziell auf die dreiphasige 480-V-Netzkonfigurationen im gewerblichen Bereich zugeschnitten, eigent sich der IQ9N für Solarmodule mit einer Leistung von bis zu 600 W. Er erfüllt die in den USA vorgeschriebenen Netzkonformitätsstandards UL 1741-SB und IEEE 1547-2028. Zudem verfügt er über Schnellabschaltung, Phasenausgleich, Spannungs-/Frequenzdurchgang und Phasenausfallerknnung, um Netzsicherheit und Systemzuverlässigkeit zu gewährleisten.