Intels FFL22-Prozess
FinFET-ICs für IoT-Systeme
Mit dem neuen 22-nm-FFL22-Prozess möchte Intel auf FinFETs basierende ICs preislich für den Einsatz IoT-Systemen attraktiv machen.
Intel hat den 22-nm- und 14-nm-FinFET-Prozess weiter verbessert und konnte den Leckstrom der neuen Ultra-Low-Leakage-Transistoren um den Faktor 100 reduzieren.
Außerdem habe Intel laut Mark bohr, Intel Senior Fellow, Technology and Manufacturing Group sowie Director, Process Architecture and Integration, im neuen 22FFL-Prozess die Verbindungen und die Design-Rules vereinfacht, so dass hauptsächlich mit Single-Patterning gearbeitet werden kann. Der Preis der auf der Ebene des 22-nm-Node gefertigten FinFET-ICs liege nun auf gleichem Niveau wie für ICs, die in planaren 28- und 22-nm-Prozessen gefertigt werden. Damit meint Intel die FD-SOI-Prozesse und möchte mit der FinFET-Technik nun auch Firmen wie Globalfoundries Konkurrenz machen.
Der voll HF-fähige 22FFL-Prozess bietet eine umfangreiche Auswahl an Transistoren, darunter High Performance, Ultra Low Leakage, High Voltage I/O, High Voltage Power und analoge Transistoren sowie Präzisionswiderstände, MIM-Kondensatoren und High-Q-Induktivitäten.
Der Prozess wird nach den Plänen von Intel ab dem vierten Quartal 2017 in Produktion gehen.
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