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Endlich der Durchbruch?

EUV belichtet 150 Wafer pro Stunde

17. Juli 2017, 8:27 Uhr | Heinz Arnold

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Trumpf: Plasmaquelle verbessert

Trumpf arbeitet ebenfalls schon seit vielen Jahren mit ASML zusammen, auch an der Verbesserung der Strahlungsquelle für die Erzeugung der EUV-Strahlung. Dafür wurde sogar eine eigene Geschäftseinheit gegründet, die Trumpf Lasersystems for Semiconductor Manufacturing (TLSM), die immerhin 350 Mitarbeiter beschäftig. »Ohne Trumpf würde das Moore’sche Gesetz enden; so banal ist es«, hatte schon ohne falsche Bescheidenheit Peter Leibinger, in der Geschäftsführung für das Lasergeschäft zuständig, gegenüber der Stuttgarter Zeitung im vergangenen Mai erklärt.

ASML rechnet damit, dass die Hersteller die kosteneffiziente Produktion auf Basis der EUV-Lithografie 2018/19 aufnehmen werden, um damit die ICs auf der Ebene der 7-nm- und 5-nm-Process-Nodes zu fertigen. TSMC hatte angekündigt, EUV für die Fertigung von 5-nm-ICs ab Ende dieses Jahrzehnts in vollem Umfang einsetzen zu wollen. Auf der 7-nm-Ebene will TSMC entwickeln.

Dafür bietet ASML die Lithografiemaschine von Typ TWINSCAN NXE:3400B an, die für die Fertigung in Stückzahlen ausgelegt ist. Die Strahlung erzeugt die Quelle, indem ein Laserstrahl auf ein Zielobjekt aus Zinn gelenkt wird und ein Plasma entsteht. An diesem Teil des Systems hat Trumpf mit gearbeitet.

Die weltweit führenden IC-Hersteller Globalfoundries, Intel, Samsung und TSMC warten bereits auf diese Maschinen. Bisher hatte ASML nur Entwicklungs-Tools geliefert, die den ersehnten Durchsatz noch nicht erreicht haben. Dafür lagen aber im April dieses Jahres immerhin Bestellungen über 14 Stück der neuen EUV-Lithografiegeräte vor, wie ASML damals mitteilte.