Wechselrichter für E-Fahrzeuge
Hitachi Astemo verwendet SiC-MOSFETs von Rohm
Der japanische Hersteller von Automobilkomponenten Hitachi Astemo wird die SiC-MOSFETs der 4. Generation sowie die Gate-Treiber-ICs von Rohm in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge einsetzen. Ab 2025 sollen die Wechselrichter an Automobilhersteller geliefert werden.
Bei Elektrofahrzeugen spielt der Wechselrichter eine zentrale Rolle im Antriebssystem. Um die Reichweite von Elektroautos zu erhöhen und die Größe der Bordbatterie zu verringern, muss er effizienter werden. Infolgedessen steigen die Erwartungen an SiC-Leistungsbauelemente.
Rohms neueste SiC-MOSFETs der 4. Generation weisen im Vergleich zu Vorgängergenerationen eine verbesserte Kurzschlussfestigkeit sowie den nach Unternehmensangaben branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand auf. Installiert im Hauptwechselrichter senken sie den Stromverbrauch im Vergleich zu IGBTs um 6 %, wodurch sich die Reichweite von E-Fahrzeugen erhöht.
Hitachi Astemo verwendet nun erstmals SiC-Bauelemente verwendet werden, um die Leistung von Hauptantriebswechselrichtern in Elektrofahrzeugen zu erhöhen. Die Wechselrichter sollen ab 2025 an Automobilhersteller geliefert werden, zunächst in Japan und dann auch in Übersee.
Rohm plant, auch in Zukunft seine Produktpalette an SiC-Leistungsbauelementen weiter auszubauen und will mit seinen Lösungen zur technischen Innovation in Fahrzeugen beitragen. Dies geschieht zum Beispiel durch die Kombination von Peripheriegeräte-Technologien wie Steuer-ICs zur Leistungsoptimierung.
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