Antriebstechnik
Die nächste Generation CSTBT-Module
Fortsetzung des Artikels von Teil 2
Gehäuse bleibt marktkompatibel
Diese neue Chip-Generation wird in ein weiterentwickeltes Gehäuse implementiert, das zwar konstruktiv verändert wurde, jedoch alle Anschlüsse an der gleichen Position beibehält. Damit wird die Kompatibilität mit dem Marktstandard beibehalten und gleichzeitig die Luft- und Kriechstrecken erhöht. Als keramisches Substrat dient das bewährte Aluminiumnitrid. Die Isolationsspannung zur Bodenplatte wurde für die aktuelle Generation erhöht und auf 4.000 Veff (60 s) vereinheitlicht, obwohl 1.200-V-Bauteile aufgrund der maximalen Zwischenkreisspannung von weniger als 850 V in der Regel mit einer Isolationsspannung von 2.500 Veff (60 s) gemäß den internationalen Standards auskommen.
Zur Erhöhung der Luft- und Kriechstrecken zur Bodenplatte bzw. zu den Befestigungsschrauben wurde die Außenwandung des Kunststoffrahmens erhöht und den Leistungsterminals eine leicht angeschrägte Form gegeben. Mit der Entwicklung der neuen Chip-Generation führt Mitsubishi Electric auch einen 600-A-/1.200-V-CSTBT in diesem weiterentwickelten Leistungsmodulgehäuse ein. Die Anfangs bereits erwähnte Weiterentwicklung des Chip und die damit verbundene bessere Ausnutzung der Chipfläche hat diese neue Stromklasse mit ermöglicht.
Die CSTBTs der neusten Version vereint die geringen Leitendverluste der Vorgängergeneration mit Vorteilen bei den Einschalt- und Recovery-Verlusten der weiterentwickelten CSTBTs und Freilaufdioden. Im weiterentwickelten Gehäuse stehen jetzt CSTBT-Leistungsmodule mit 1.200 V Sperrspannung und mit einem Kollektorstrom von 100 bis 600 A zur Verfügung, die gleichermaßen Anwendungen der klassischen Antriebstechnik ansprechen wie auch Applikationsfelder mit höheren Schaltfrequenzen.
Der Autor:
| Dipl.-Ing. Marco Honsberg, MBA |
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| studierte Elektrotechnik am Lehrstuhl für Elektrische Antriebe und Leistungselektronik der Universität Wuppertal. Als Forschungs- und Entwicklungsingenieur konzipierte er motorintegrierte Frequenzumrichter für die Antriebstechnik und beschäftigte sich mit Topologien zur effizienten Leistungsumformung. Seit 2006 ist er bei Mitsubishi Electric Europe B.V. als Assistant Manager Application Engineering tätig. Sein MBA-Studium schloss er 2012 ab. Bis heute hat er vier Patente und mehr als 40 Papers aus dem Themenfeld leistungselektronischer Bauelemente veröffentlicht. |
marco.honsberg@meg.mee.com
- Die nächste Generation CSTBT-Module
- Gesamtverluste gering halten
- Gehäuse bleibt marktkompatibel
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