Infineon kooperiert mit Sinexcel

Ziel: Energiespeicher effizienter machen

25. Januar 2024, 14:24 Uhr | Kathrin Veigel
Infineon wird ab sofort an Sinexcel seine 1.200-V-CoolSiC-MOSFET-Leistungshalbleiter-Bauelemente zusammen mit den kompakten EiceDriver-1.200-V-Gate-Drive-ICs liefern.
© Sinexcel

Infineon Technologies und Sinexcel Electric, Anbieter von Stromversorgungssystemen und Lösungen für das Energy Internet mit Sitz in Shenzhen, arbeiten künftig zusammen. Gemeinsam wollen sie die Effizienz von Energiespeichersystemen weiter verbessern.

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Der Wirkungsgrad und die Leistungsdichte von Energiespeichersystemen sind wichtige Faktoren für die Wettbewerbsfähigkeit von Produkten. Größe, Gewicht und Kosten von Energiespeichersystemen hängen eng mit der Energieumwandlungseffizienz zusammen und wirken sich direkt auf die Produktkosten aus. Daher spielen Leistungshalbleiterkomponenten wie die von Infineon Technologies eine entscheidende Rolle.

»Die SiC-basierte Energiespeicherlösungen sind wichtige Komponenten für zukünftige Anwendungen zur Erzeugung und Speicherung von grüner Energie«, erklärt Yu Daihui, Senior Vice President und Leiter der Green Industrial Power Division von Infineon in Greater China. »Durch die Zusammenarbeit von Infineon und Sinexcel im Bereich der Energiespeicher-Wechselrichter können Energiespeichersysteme einen hohen Wirkungsgrad, eine geringe Größe und ein geringes Gewicht erreichen. Das führt zu hochzuverlässigen und leistungsstarken Energiespeichersystemen.«

»Durch den Einsatz der SiC-Bauteile von Infineon sind die Energiespeicherprodukte von Sinexcel sichtlich kompakter und flexibler. Sie haben einen deutlich höheren Wirkungsgrad und geringere Verluste, was die Kosten für die Wärmeableitung von Systemen senkt«, erklärt Wei Xiaoliang, stellvertretender Geschäftsführer von Sinexcel. Die Endnutzer können die Produkte langfristig effizient und stabil betreiben, was die Betriebsstabilität verbessert und die Amortisationszeit verkürzt.

Mit mehr als 20 Jahren Produktentwicklungs- und Anwendungserfahrung im SiC-Bereich arbeitet Infineon kontinuierlich an der Entwicklung leistungsfähigerer SiC-Produkte. Aufgrund ihrer hohen Leistungsdichte können die 1.200-V-CoolSiC-MOSFETs von Infineon die Wandlungsverluste um bis zu 50 Prozent reduzieren und circa 2 Prozent zusätzliche Energie liefern, ohne die Batterie zu vergrößern. Besonders für leistungsstarke, leichte und kompakte Energiespeicherlösungen ist das von Vorteil.

Durch den Einsatz der 1.200-V-CoolSiC-MOSFETs und der kompakten EiceDriver-1.200-V-Einkanal-ICs mit isolierter Gate-Ansteuerung erreichen die Energiespeicher-Wandler von Sinexcel eine hohe Leistungsdichte, minimale elektromagnetische Abstrahlung und Interferenz, eine hohe Schutzleistung und hohe Zuverlässigkeit. Das ermöglicht einen Systemwirkungsgrad von bis zu 98 Prozent, der um 1 Prozent höher ist als bei herkömmlichen Lösungen.

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