Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

© kimura2 / pixabay

Japanischer Chips Act

Freier Markt oder Autarkie bei Halbleitern

Wie viele andere Regionen will auch Japan seine Halbleiterindustrie stärken. Mariko Togashi vom internationalen Institut für Strategische Studien kommentiert, ob es sinnvoll ist, die Prinzipien des freien Marktes zugunsten volkswirtschaftlicher…

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© Componeers GmbH

inpotron Schaltnetzteile

»Wir kaufen alle Komponenten, die wir kriegen können«

Für Hersteller kundenspezifischer Stromversorgungen stellt die aktuelle…

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© Schukat

Volle Auftragsbücher, lange Lieferzeiten

»Von Entspannung keine Spur«

Verwaltung des Mangels – auf diesen kurzen Nenner lässt sich vielerorts die Situation bei…

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© Odyssey Semiconductor

Vertikale GaN-Transistoren

Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine

Bislang gibt es am Markt nur GaN-Transistoren in der lateralen HEMT-Struktur, weil diese…

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© AIST

Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine laterale.…

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© Showa Denko

Siliziumkarbid

Showa Denko fertigt nun auch SiC-Rohwafer

Bislang hat Showa Denko SiC-Rohwafer eingekauft, um daraus SiC-Epitaxiewafer zu fertigen.…

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© Bright Toward

MOSFETs für hocheffiziente BMS

Siliziumkarbid lautet das Zauberwort

BMS von Elektroautos werden immer kompakter und leistungsfähiger. Deshalb setzt…

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© Innoscience

Denis Marcon, Innoscience

»Wir bringen Galliumnitrid auf die nächste Stufe«

GaN-basierte Bauelemente sind mittlerweile zwar etabliert, doch sind noch einige Hürden zu…

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© Toyoda Gosei

Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für…

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© Navitas

APEC 2022 / Galliumnitrid

Navitas gewährt 20-Jahres-Garantie für GaNFast-ICs

Eine 20-Jahres-Garantie für ihre GaNFast-ICs gewährt Navitas. Damit will das Unternehmen…

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