Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Dr. Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik

Auch wenn GaN-Bauelemente seit einigen Jahren auf dem Markt verfügbar sind, sind dies nur erste Schritte. Galliumnitrid birgt noch viel Potenzial. Welche dies sind, zeigte Dr. Richard Reiner vom Fraunhofer IAF in einem Vortrag auf dem Anwenderforum…

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

SiC und GaN richtig ansteuern

Die Leitlinien für die Gate-Ansteuerung von Silizium-MOSFETs oder -IGBTs lassen sich nicht…

Soitec und A*STAR

Prozess für neue SiC-MOSFET-Generationen

Das Institute of Micorelectronics von A*STAR in Singapur und Soitec entwickeln gemeinsam…

Dr. Gerald Paul, Vishay

»Wir bauen ein 300-mm-MOSFET-Werk in Itzehoe«

Vishay baut für 250 bis 300 Millionen Dollar in Deutschland ein 300-mm-Werk für MOSFETs…

Andreas Urschitz, Infineon Technologies

Galliumnitrid prägt die Energieeffizienz

Als Division President PSS ist Andreas Urschitz bei Infineon für Silizium-MOSFETs und…

Vishay mit SiC-Dioden und -MOSFETs

»Wir bauen ein 300-mm-MOSFET-Werk in Itzehoe«

Vishay baut für 250 bis 300 Millionen Dollar in Deutschland ein 300-mm-Werk für MOSFETs…

Toshiba Electronics Europe

Neues Leistungselektronik-Labor in Deutschland

Ende Dezember 2021 hat Toshiba Electronics Europe ein High-Voltage-Labor eröffnet, um…

Elektromobilität

Bosch startet Serienfertigung von Siliziumkarbid-Chips

Nach zweijähriger Entwicklung hat Bosch die Großserienfertigung von Leistungshalbleitern…

Kommentar

Hoffen auf Olympia

Die olympischen Winterspiele 2022 stehen vor der Tür, und damit vielleicht auch eine…

Chinesischer GaN-on-Si-Chiphersteller

Innoscience eröffnet Büros in den USA und Europa

Innoscience Technology mit Hauptsitz in Suzhou, China, hat Design-Service- und…