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Leistungshalbleiter-ICs

Siliziumkarbid bekommt Konkurrenz

Transphorm zeigt 1200-V-GaN-Transistor auf der ISPSD

Die neuesten Forschungsergebnisse für sein 1200-V-GaN-Bauelement wird Transphorm auf dem ISPSD im Mai 2022 vorstellen. Dieses Bauteil, das im Jahr 2023 bemustert werden soll, steht in direkter Konkurrenz zu SiC-MOSFETs.

Intel macht Ernst

Strategischer Foundry-Kauf

Intel hatte letztes Jahr angekündigt, nicht nur wieder führend in der Halbleiterfertigung,…

Toshiba

Integrierbarer Stromsensor für GaN-Halbbrücken

Halbbrücken und Stromsensoren zu integrieren ist nicht trivial. Toshiba hat jetzt eine…

Führungswechsel bei Vishay

CEO Dr. Gerald Paul tritt Ende 2022 in den Ruhestand

Nach 17 Jahren als President und CEO von Vishay wird Dr. Gerald Paul zum 31. Dezember 2022…

Der European Chips Act

Reicht das für die Halbleiter-Champions-League?

Um ihre geopolitische Stellung zu festigen und ihre Bedeutung als Fertigungsstandort für…

Semikron als Automobilzulieferer

Milliardenauftrag von deutschem Automobilbauer

Ein großer deutscher Automobilhersteller will die für Siliziumkarbid-Technologie…

New Wafer Fab in Kulim

Infineon to Invest More Than 2 Billion Euros for SiC and GaN

Infineon invests more than 2 billion euros in a third module at its site in Kulim,…

Bidirektionaler DC-DC-Wandler

2-kW-Referenzboard von EPC und MPS

Für die Elektromobilität hat Efficient Power Conversion (EPC) zusammen mit Monolithic…

Neue Wafer-Fab in Malaysia

Infineon investiert mehr als 2 Mrd. Euro für SiC und GaN

Mehr als 2 Mrd. Euro investiert Infineon in ein drittes Modul am Standort Kulim, Malaysia,…

Infineon

CoolSiC-Leistungsmodul reduziert Energiebedarf von Straßenbahnen

Effizienter Schienenverkehr ist ein Schlüssel für grüne Mobilität. Siemens Mobility und…