Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Dr. Thomas Reisinger, Infineon Austria

»300 Millimeter is Coming Home«

Im September 2021 hat Infineon seine neue 300-mm-Waferfab in Villach eröffnet. Zu Details zu der Fab und wie diese trotz Pandemie vor dem anvisierten Termin fertiggestellt werden konnte, fragten wir Dr. Thomas Reisinger, COO Infineon Technologies…

Prognosen von GaN Systems für 2022

Mit Galliumnitrid den Klimazielen näher kommen

Die Stromerzeugung ist für 43 Prozent der globalen Kohlendioxid-Emissionen verantwortlich.…

GaN-on-GaN Epitaxial Wafers

IVWorks Acquires GaN Wafer Technology from Saint-Gobain

IVWorks has acquired the GaN-on-GaN epitaxial wafer business and technology from…

GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafer

IVWorks übernimmt GaN-Wafertechnologie von Saint-Gobain

IVWorks hat das Geschäft und die Technologie von GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafern vom…

Applied Novel Devices

Silizium-MOSFETs mit GaN-Performance

Weil Silizium-MOSFETs üblicherweise eine sehr hohe Rückwärtserholung haben, schalten sie…

Wolfspeed über Bau der nächsten Fab

»Der Bau eines Werks in Europa ist absolut realistisch«

In vier Jahren hat Gregg Lowe, CEO von Wolfspeed, das ursprüngliche Mutterunternehmen Cree…

Dr. Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik

Auch wenn GaN-Bauelemente seit einigen Jahren auf dem Markt verfügbar sind, sind dies nur…

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

SiC und GaN richtig ansteuern

Die Leitlinien für die Gate-Ansteuerung von Silizium-MOSFETs oder -IGBTs lassen sich nicht…

Soitec und A*STAR

Prozess für neue SiC-MOSFET-Generationen

Das Institute of Micorelectronics von A*STAR in Singapur und Soitec entwickeln gemeinsam…

Dr. Gerald Paul, Vishay

»Wir bauen ein 300-mm-MOSFET-Werk in Itzehoe«

Vishay baut für 250 bis 300 Millionen Dollar in Deutschland ein 300-mm-Werk für MOSFETs…