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STMicroelectronics

Schnellere und einfachere eingebettete Speicher in FD-SOI

6. November 2013, 15:38 Uhr | Ralf Higgelke

Die »Algorithmic Memory Technology« von Memoir Systems für eingebettete Speicher in ASICs und SoCs ist nun bei STMicroelectronics verfügbar. Diese wird mit der FD-SOI-Technologie (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) von ST hergestellt.

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Integriert in Produkte auf Basis der FD-SOI-Technologie von STMicroelectronics (ST), sorgen die »Algorithmic Memories« von Memoir Systems für hohe Performance. Ausschlaggebend hierfür sind die anerkannten Verlustleistungs- und Performancevorteile der Prozesstechnologie. Wie sich herausgestellt hat, sind Produkte auf Basis der FD-SOI-Technologie um 30 % schneller und erzielen eine um 30 % höhere Energieeffizienz als entsprechende Produkte in Bulk-Technologie.

Darüber hinaus bieten die extrem geringe Soft-Error-Rate (SER; um den Faktor 50 bis 100 besser als bei gleichwertigen Bulk-Produkten) und die extrem niedrigen Leckströme der FD-SOI-Technologie einen besonderen Nutzen in missionskritischen Anwendungen beispielsweise in Netzwerk-, Transport-, Medizin- und Aerospace-Programmen.

»Die FD-SOI-Prozesstechnologie bringt für sich genommen bereits ASICs und SoCs hervor, die schneller sind und weniger Wärme entwickeln als Bauelemente auf der Basis alternativer Prozesstechnologien«, erläutert Philippe Magarshack, Executive Vice President, Design Enablement and Services bei STMicroelectronics.

ST ist nach eigener Aussage der erste Halbleiterlieferant, der die FD-SOI-Prozesstechnologie anbietet. FD-SOI erweitert und vereinfacht die bestehenden planaren Bulk-Silicon-Produktionsprozesse. Ein FD-SOI-Transistor kann mit höheren Frequenzen arbeiten als gleichwertige Transistoren auf Bulk-CMOS-Basis, was auf die verbesserten elektrostatischen Eigenschaften und die geringere Kanallänge der Transistoren zurückzuführen ist.