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Nichtflüchtigen Speicher

Onsemi setzt auf ReRAM-Speicher von Weebit

4. Januar 2025, 9:40 Uhr | Heinz Arnold

Coby Hanoch, CEO von Weebit Nano: »Diese Vereinbarung mit einem der weltweit führenden IC-Hersteller zeigt, dass sich die ReRAM-Technologie von Weebit gut dafür eignet, die traditionellen Flash-Speicher zu ersetzen.«

Weebit Nano hat seine Resistive Random Access Memory (ReRAM)-Technologie an Onsemi lizenziert.

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Die Vereinbarung sieht vor, dass das ReRAM-IP von Weebit Nano in die »Treo«-Plattform von Onsemi integriert wird, um eingebetteten nichtflüchtigen Speicher (NVM) bereitzustellen. Gefertigt werden die ReRAM-Speicher mit Hilfe eines BCD-Prozesses. Diese nichtflüchtigen Specedr zeichenen sich durch ihre geringe Stromaufnahme und gute Speicherleistung bei hohen Temperaturen aus. Die ReRQM-Module wuden bereits für Temperaturen von 125 °C qualifiziert, die für den Einsatz in Autos erforderlich ist (Automotive Grade 1 Non-Volatile Memories). Außerdem lassen sie sich kostengünstig fertigen. Denn im Gegensatz zu embedded Flash werden die ReRAMs erst im Back-End-of-Line-Prozess formiert, tiefgreifende Anpassungen des gesamten Fertigungsprozesses sind deshalb nicht erforderlich.

»Diese Vereinbarung mit einem der weltweit führenden IC-Hersteller zeigt, dass sich die ReRAM-Technologie von Weebit gut dafür eignet, die traditionellen Flash-Speicher zu ersetzen«, sagt Coby Hanoch, CEO von Weebit Nano.

Im Juli vergangenen Jahres hatte Weebit mit der koreanischen Foundry DB HiTek das Tape-out eines Demonstrationschips erstellt, so dass sich die embedded ReRAMs von Weebit im 130-nm-BCD-Prozess von DB HiTek auf die ICs der Foundry integrieren lassen. Die hochintegrierten Demo-Chips werden für Tests und Qualifizierungen im Vorfeld der Kundenproduktion eingesetzt. Die Qualifikation soll bis zum zweiten Quartal 2025 abgeschlossen sein, so dass dann die Produktion hochgefahren werden kann. Die Lizenzvereinbarung mit DB HiTek besteht seit Oktober 2023.

Zudem besteht eine Zusammenarbeit mit GlobalFoundries, die die ReRMs von Weebit mit Hilfe ihres 22FDX-Prozesses fertigt. Im August 2024 hatte Weebit auf der »FMS: the Future of Memory and Storage 2024« in Santa Clara die Leistungsfähigkeit der so gefertigten ReRAMs vorgestellt.

Schon im Juli 2023 hatte Skywater die ReRAMs für die Fertigung mit Hilfe ihres 130-nm-CMOS-Prozesses (S130) qualifiziert.