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Neue 600-V-MOSFET-Familie von onsemi

SuperFET V in verschiedenen Ausprägungen erhältlich

onsemi, SUPERFET V
© onsemi

Mit SuperFET V hat onsemi eine neue Serie von Silizium-MOSFETs mit 600 V Sperrspannung vorgestellt. Es gibt drei Ausprägungen, sodass diese Bauteile für verschiedene Anwendungen und Topologien optimiert sind.

»Mit dem Ziel, den Klimawandel zu bekämpfen, erfordert die 80-Plus-Titanium-Zertifizierung, dass Server- und Massenspeicher-Hardware einen Wirkungsgrad von 90 Prozent bei zehn Prozent Last und einen Wirkungsgrad von 96 Prozent bei halber Last erreicht«, erklärte Asif Jakwani, Senior Vice President und General Manager, Advanced Power Division, bei onsemi. »Die verschiedenen Versionen unserer SuperFET-V-MOSFETs erfüllen diese Anforderungen und bieten eine robuste Lösung, die eine kontinuierliche Systemzuverlässigkeit gewährleistet.«

Die FAST-Versionen bieten höchste Effizienz in hart schaltenden Topologien (z.B. PFC-Stufen) und sind auf geringe Gate-Ladung QG und EOSS-Verluste getrimmt, um schnelles Schalten zu ermöglichen. Zu den ersten Bausteinen zählen der NTNL041N60S5H (RDS(on) = 41 mΩ) und der NTHL185N60S5H (RDS(on) =185 mΩ), die beide im TO-247-Gehäuse ausgeliefert werden. Der NTP185N60S5H befindet sich im TO-220-Gehäuse und der NTMT185N60S5H im 8 mm × 8 mm × 1 mm großen Power88-Gehäuse, das MSL 1 garantiert und über eine Kelvin-Source-Konfiguration zu einem verbesserten Gate-Rauschen und geringeren Schaltverlusten beiträgt.

Die Easy-Drive-Versionen eignen sich sowohl für hart als auch weich schaltende Topologien und enthalten einen internen Gate-Widerstand RG sowie eine optimierte interne Kapazität. Sie eignen sich für den universellen Einsatz in vielen Anwendungen, einschließlich PFC-Stufen und LLC-Wandler. Die integrierte Zener-Diode zwischen Gate- und Source-Elektrode sorgt dafür, dass das Gate-Oxid weniger stark belastet wird und die ESD-Robustheit steigt. Aktuell sind zwei Bausteine mit einem RDS(on) von 99 mΩ und 120 mΩ erhältlich – der NTHL099N60S5 und NTHL120N60S5Z werden beide im TO-247-Gehäuse ausgeliefert.

Die FRFET-Versionen (Fast Recovery) eignen sich für weich schaltende Topologien wie phasenverschobene Vollbrücken- und LLC-Wandler. Sie bieten eine schnelle Body-Diode sowie reduzierte Werte für die Rückwärtserholladung Qrr und die Sperrverzögerungszeit trr. Die Robustheit der Diode soll die Systemzuverlässigkeit erhöhen. Der NTP125N60S5FZ mit integrierter Zener-Diode bietet einen RDS(on) von 125 mΩ im TO-220-Gehäuse; der NTMT061N60S5F bietet 61 mΩ im Power88-Gehäuse. Der MOSFET mit dem geringsten Verlust ist der NTHL019N60S5F mit einem RDS(on) von nur 19 mΩ im TO-247-Gehäuse.

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