Leistungshalbleiter

48-12 V Stromversorgung in Rechenzentren

GaN spielt alle Vorteile für PoL-Wandler aus

Point-of-Load-Wandler in Rechenzentren wandeln 48 V-Nennspannung für 12 V-Busse um. GaN-FETs bringen auf kleinstem Raum eine sehr hohe Leistungsdichte und verlustarme Wandlung. Von EPC und Microchip gibt es nun ein Referenzdesign für einen…

Mars-Mission Perseverance

Infineon-ICs lassen Mars-Rover arbeiten

Tausende strahlungsgehärtete Komponenten befinden sich im Rover, den die NASA jetzt auf…

SiC, GaN und Si in der Elektromobilität

Verdrängung oder Koexistenz?

Werden Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter Silizium-basierte Halbleiter wie IGBTs oder…

Sperrwandler-Schalter-IC

Ein Notschalter für die E-Mobility

Auf Anwendungen im Bereich der Elektromobilität ist der AEC-Q100-qualifizierte InnoSwitch3…

Rohm baut Engagement im SiC-Bereich aus

Zusammenarbeit mit Vitesco Technologies

Rohm Semiconductor ist eine Entwicklungspartnerschaft mit Vitesco Technologies…

Leistungselektronik-to-go

Modulare, PCB-integrierte GaN-auf-Si-Halbbrückenschaltung

Das Fraunhofer IAF hat monolithisch integrierte GaN-Power-ICs mittels…

IGBT-Module in rauen Umgebungen

Bis zu 20 Jahre Lebensdauer durch erweiterten H2S-Schutz

In rauen Umgebungen muss Leistungselektronik robust sein, einen großen Einfluss auf die…

Leistungshalbleiter

SiC gräbt weiter im Silizium-Becken

Mit einem neuen 62 mm-Siliziumkarbid-Modul will Infineon Anwendungen im mittleren…

SiC-MOSFET-Halbleiter

40 % weniger Einschaltwiderstand für Elektrofahrzeuge

SiC-MOSFETS in Elektroautos verprechen hohe Wirkungsgrade, weniger Verluste und am Ende…

Ansteuerung von LEDs

Moderne Beleuchtungslösungen für Automobilanwendungen

Bei Scheinwerfern und Rückleuchten kommen vermehrt Produkte zur automatischen…