Leistungshalbleiter

Power-Highlights auf der electronica

Automotive-GaN-FET mit 99% Wirkungsgrad

Texas Instruments stellt einen neue 600 und 650 V-GaN-FET für die Automotive-Branche und die Industrie vor. Bordladegeräte für Elektrofahrzeuge und industrielle Stromversorgungen profitieren von einer verdoppelten Leistungsdichte durch einen integrierten, schnell schaltenden 2,2-MHz-Gatetreiber.

Liefervertrag für Siliziumkarbid

Infineon sichert sich SiC-Boules von GT Advanced Technologies

Einen über fünf Jahre laufenden Liefervertrag für SiC-Boules...

Halbleiter-Lieferkette

Infineon sichert sich SiC-Quelle bei GT Advanced

SiC boomt, doch das Rohmaterial dafür ist knapp. Infineon hat mit GT Advanced einen...

Intelligente Power-Module

STMicroelectronics und Sanken kooperieren

Eine strategische Partnerschaft für die Entwicklung intelligenter Power-Module für...

Megatrends bei Leistungshalbleitern

»Die Zukunft ist elektrisch und gehört SiC und GaN«

Der Wandel von Silizium zu Siliziumcarbid wird sich im Automobil- und...

Ultraschnelle Ladegeräte

Treiber und GaN-Leistungstransistor in einem Modul

Das weltweit erste Modul mit Si-Treiber und GaN-Leistungstransistoren soll Ladegeräte...

Toshiba / Siliziumkarbid

Zweite SiC-MOSFET-Generation

Als ersten Siliziumkarbid-MOSFET, der auf der im Juli 2020 vorgestellten zweiten...

Dr. Peter Friedrichs, Infineon

Wie die Preise für Siliziumkarbid-Wafer schneller sinken

Infineon erweitert sein Portfolio an Siliziumkarbid-Bauelementen sukzessive. Also...

Neuartige Leistungshalbleiter

Siliziumtransistoren mit der Performance von SiC und GaN

Hinter Bizen (Bipolar/Zener) verbirgt sich eine neuartige Prozesstechnologie für...

GaN-Plattform mit integriertem Treiber

Smartphones in weniger als 10 Minuten laden

Wer bisher die Vorteile von GaN-Leistungshalbleitern nutzen wollte, der musste lernen,...