Leistungshalbleiter

Gate-Treiber

Isolierfestigkeit gewährleisten

Bei Umrichtern und Leistungswandlern steigt die Leistungsdichte stetig. Deshalb sind hochintegrierte, isolierte und robuste Gate-Treiber nötig. Im Folgenden untersuchen wir, wie widerstandsfähig die Isolation eines solchen Treibers ist, indem wir den…

Siliziumkarbid-MOSFETs

Mehr Power aus der Ladesäule

Um die Leistungsfähigkeit von Umrichtern zu verbessern, wie sie etwa in Ladesäulen…

Großer Umsatzsprung erwartet

Neue Dynamik bei GaN-Halbleitern

Seit dem Ende letzten Jahres hat nun jeder Top-Ten-Hersteller siliziumbasierter…

Interview mit Christian André, Rohm

»SiC ist ein wildes Tier«

Wie Christian André, Chairman Rohm Semiconductor Europe, bekräftigt, hält das Unternehmen…

Gleichrichterdioden

Was sich 2020 ändern wird

Stellvertretend für den Markt der diskreten Halbleiter erläutert Jos van Loo, Technical…

Dreifache Durchbruchfeldstärke

SweGaN entdeckt neues Epitaxie-Verfahren für GaN auf SiC

Galliumnitrid auf Siliziumkarbid epitaktisch aufzuwachsen ist zwar nicht so komplex wie…

Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics schließt Liefervertrag mit SiCrystal

Der Bedarf an SiC-Bauelementen im Automobil- und Industriesektor steigt.…

SiCrystal und STMicroelectronics

Mehrjähriges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Wafer

Wie hoch der erwartete Bedarf an Siliziumkarbid-MOSFETs besonders für die Elektromobilität…

Leistungshalbleiterumsätze 2020

Es geht wieder aufwärts

Auch wenn der Leistungshalbleiterumsatz 2019 in einigen Produktbereichen von…

Bauelemente für die kommenden Trends

Kundenanforderungen voraus

Drei Trends werden die Halbleiterhersteller 2020 antreiben, um neue Techniken und…