Leistungshalbleiter

Power Integrations

Robuste GaN-basierte InnoSwitch3-ICs nach unten erweitert

Die bisherigen InnoSwitch3-Familien von Power Integrations zielen auf Leistungen von bis zu 120 W ab. Die neuen INN3x78C-Bausteine mit 750-V-GaN-Transistor eignen sich für Netzteile zwischen 27 W und 55 W für Regionen mit häufigen Stromausfällen und Netzschwankungen.

Efficient Power Conversion (EPC)

Monolithische GaN-Halbbrücke mit Treiber für 80 V/12,5 A

Mit dem EPC2152 hat Efficient Power Conversion (EPC) das erste Mitglied der neuen...

Für 450 Mio. US-Dollar

SK Siltron übernimmt SiC-Wafer-Sparte von DuPont

SiC-Wafer sind das Ausgangsmaterial für Leistungshalbleiter für Elektroautos und...

Heraeus

Sinterpaste für HF-Leistungsverstärker

Weil die neue Sinterpaste von Heraeus Electronics eine sehr gute Wärmeleitfähigkeit...

Coronavirus

APEC 2020 findet nicht statt

Die APEC (Applied Power Electronics Conference) und ihre Sponsoren IEEE IAS, IEEE PELS...

Galliumnitrid / Übernahme

STMicroelectronics erwirbt Mehrheitsbeteiligung an Exagan

Nachdem STMicroelectronics bereits mit CEA-Leti und TSMC bei Galliumnitrid...

Toshiba

AEC-Q101-qualifizierter 100-V-n-Kanal-MOSFET

Toshiba bringt einen neuen 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET auf den Markt, der für...

Maxim Integrated Products

Es geht auch ohne Messmanschette

Hochintegrierte optische Module und einsatzbereite Algorithmen im Sensor-Hub-IC...

ams

Schärfere medizinische Bilder

Durch den Einsatz des hochintegrierten CMOS-Chips AS5950 von ams lassen sich Zeit- und...

Infineon Jahreshauptversammlung 2020

»Wenn der Markt anzieht, wird Infineon bereit sein«

Auf der Jahreshauptversammlung von Infineon blickte Vorstandsvorsitzender Dr. Reinhard...