Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid für die Industrie

Mehr Leistungsdichte für Elektroautos, Datenzentren und Industrie

Der Halbleiterhersteller Cree hat neue 650-V-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid auf den Markt gebracht. Deren Effizienz soll die nächste Generation von Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen ermöglichen und auch die Leistung industrieller Anwendungen steigern.

Exklusive Branchenumfrage

Wie die Corona-Krise die Medizintechnik herausfordert

In der Corona-Krise ist der Bedarf an medizintechnischen Produkten schlagartig...

Siliziumkarbid auf dem Vormarsch

Microchip nimmt SiC-Leistungsmodule ins Programm

Microchip nimmt neue SiC-Leistungsmodule ins Portfolio und setzt auf die weiter...

Offensive in Sachen Wideband-Gap

ST gibt Vollgas

Mit massiven Investitionen in seine SiC- und GaN-Produktionskapazitäten will...

Oliver Konz, Würth Group

»Ich will alles auf Leiterplatte liefern, nur keine Halbleiter«

»Back to normal« lautet die Devise von Oliver Konz, Executive Vice President der Würth...

Marktüberblick zu SiC und GaN

Yole: »2020 wird das GaN-Jahr!«

Die Welt der Leistungselektronik gilt als sehr konservativ. Doch mittlerweile haben SiC...

Siliziumkarbid / Foundry-Services

X-FAB fügt eigene SiC-Epitaxie hinzu

Neben dem weiteren Ausbau der Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid (SiC) fügt X-FAB...

JEDEC / Galliumnitrid

Zuverlässigkeit von GaN-Transistoren bewerten

Mit der JEP180 hat die JEDEC eine Richtlinie veröffentlicht, mit deren Hilfe sich die...

Power Integrations

Robuste GaN-basierte InnoSwitch3-ICs nach unten erweitert

Die bisherigen InnoSwitch3-Familien von Power Integrations zielen auf Leistungen von...

Efficient Power Conversion (EPC)

Monolithische GaN-Halbbrücke mit Treiber für 80 V/12,5 A

Mit dem EPC2152 hat Efficient Power Conversion (EPC) das erste Mitglied der neuen...