Leistungshalbleiter

Versorgungssicherheit für SiC-Wafer

Ausbau der Zusammenarbeit

Für mehr als 120 Millionen Dollar wird die Rohm-Tochter SiCrystal in den nächsten Jahren 150-mm-SiC-Wafer an STMicroelectronics liefern und ST so helfen, die hohe Nachfrage nach SiC-Bauteilen aus der Automobil- und Industrieelektronik zu bedienen.

Nexperia als neuer GaN-Player

Mit Fokus auf Automotive

Nexperia verfolgt im GaN-Bereich einen Geschäftsansatz, der sich auf den Bereich…

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2019

Im Zeichen von SiC und GaN

Mit der immer mehr in den politischen Fokus rückenden Klimaerwärmung könnten schon in…

Leistungshalbleiter: Book-to-Bill-Rate

Vom Verkäufer- wieder zum Käufermarkt

Und dann war die große Sause vorbei: Auf zwei Jahre Allokation folgte 2019 die notwendige…

Gate-Treiber

Isolierfestigkeit gewährleisten

Bei Umrichtern und Leistungswandlern steigt die Leistungsdichte stetig. Deshalb sind…

Siliziumkarbid-MOSFETs

Mehr Power aus der Ladesäule

Um die Leistungsfähigkeit von Umrichtern zu verbessern, wie sie etwa in Ladesäulen…

Großer Umsatzsprung erwartet

Neue Dynamik bei GaN-Halbleitern

Seit dem Ende letzten Jahres hat nun jeder Top-Ten-Hersteller siliziumbasierter…

Interview mit Christian André, Rohm

»SiC ist ein wildes Tier«

Wie Christian André, Chairman Rohm Semiconductor Europe, bekräftigt, hält das Unternehmen…

Gleichrichterdioden

Was sich 2020 ändern wird

Stellvertretend für den Markt der diskreten Halbleiter erläutert Jos van Loo, Technical…

Dreifache Durchbruchfeldstärke

SweGaN entdeckt neues Epitaxie-Verfahren für GaN auf SiC

Galliumnitrid auf Siliziumkarbid epitaktisch aufzuwachsen ist zwar nicht so komplex wie…