Leistungshalbleiter

Fertigung von Leistungshalbleitern

Mitsubishi Electric erwirbt Standort von Sharp

Um der steigender Nachfrage nach Leistungshalbleitern nachzukommen, hat Mitsubishi Electric für umgerechnet 167 Mio. Euro Gebäude und Grundstücke von Sharp in der japanischen Präfektur Hiroshima erworben. Der Standort soll im November 2021 in Betrieb…

Chips für die Elektromobilität

Infineon beliefert Danfoss Silicon Power

Einen mehrjährigen Volumenvertrag haben Danfoss und Infineon Technologies geschlossen, um…

Infineon baut Produktportfolio aus

»Bei SiC trifft es wirklich zu: Portfolio matters!«

Aktuell basiert das SiC-Geschäft von Infineon vor allem auf Industrieapplikationen. Mit…

Neue 650-V-GaN-Technik für Automotive

Kleinere und bessere Galliumnitrid-FETs, ohne zusätzliche Treiber

Nexperia stellt eine neue Generation 650-V-GaN-Technik vor, mit hohem Gütefaktor, mehr…

Nexperia / Galliumnitrid

Neues SMD-Gehäuse für höhere thermische Performance

Zusammen mit der zweiten Generation an GaN-Transistoren hat Nexperia auch das neue CCPAK…

Infineon / Siliziumkarbid-MOSFETs

Verschiedene Treiberoptionen für CoolSiC evaluieren

Um das Schaltverhalten von CoolSiC-MOSFET mithilfe des Doppelpulstests zu untersuchen, hat…

Neue 1200-V-SiC-MOSFET-Familie

AOS bietet jetzt auch MOSFETs aus Siliziumkarbid

Nach erfolgreichen Langzeittests mit Siliziumkarbid-Technologie erweitert Alpha und Omega…

Siliziumkarbid

Forscher lernen mehr über SiC-Defekte

Die Defektdichte bei SiC-Wafern zu senken, ist eine große Herausforderung. Nun hat ein…

Littelfuse / SiC-MOSFETs

Wie robust ist Siliziumkarbid im Kurzschlussfall?

Der Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) kann Leistungsumrichter wesentlich…

GaN im Test gegen Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter für Elektrofahrzeuge

Die Elektrisierung des Autos braucht Leistung. Galliumnitrid-Transistoren bedienen die…