Leistungshalbleiter

Silizium-, SiGe- und GaN-Komponenten

Konsequenter Portfolio-Ausbau

650-V-GaN-FETs, SiGe-Gleichrichter und ein weiterer Ausbau des AEC-Q101-qualifizierten Dioden- und Transistorenprogramms zählen bei Nexperia zu den jüngsten Neuheiten im Leistungshalbleiterbereich. 

Corona und Leistungshalbleiter

Abgesackt auf das Umsatzniveau von 2016

Als Folge der gegen die Corona-Pandemie getroffenen Maßnahmen rechnen die Analysten von…

Fünfjahresvertrag abgeschlossen

GTAT beliefert ON Semiconductor mit SiC-Rohmaterial

Einen 50 Mio. US-Dollar schweren Liefervertrag über das Siliziumkarbid-Material CrystX…

Digitale PCIM Awards 2020

Sieger untersucht Hochvolt-SiC-Packaging bei 200°

Die Gewinner des Best Paper Award und des Young Engineer Award stehen fest. Die feierliche…

Fertigung von Leistungshalbleitern

Mitsubishi Electric erwirbt Standort von Sharp

Um der steigender Nachfrage nach Leistungshalbleitern nachzukommen, hat Mitsubishi…

Chips für die Elektromobilität

Infineon beliefert Danfoss Silicon Power

Einen mehrjährigen Volumenvertrag haben Danfoss und Infineon Technologies geschlossen, um…

Infineon baut Produktportfolio aus

»Bei SiC trifft es wirklich zu: Portfolio matters!«

Aktuell basiert das SiC-Geschäft von Infineon vor allem auf Industrieapplikationen. Mit…

Neue 650-V-GaN-Technik für Automotive

Kleinere und bessere Galliumnitrid-FETs, ohne zusätzliche Treiber

Nexperia stellt eine neue Generation 650-V-GaN-Technik vor, mit hohem Gütefaktor, mehr…

Nexperia / Galliumnitrid

Neues SMD-Gehäuse für höhere thermische Performance

Zusammen mit der zweiten Generation an GaN-Transistoren hat Nexperia auch das neue CCPAK…

Infineon / Siliziumkarbid-MOSFETs

Verschiedene Treiberoptionen für CoolSiC evaluieren

Um das Schaltverhalten von CoolSiC-MOSFET mithilfe des Doppelpulstests zu untersuchen, hat…