Leistungshalbleiter

Littelfuse / SiC-MOSFETs

Wie robust ist Siliziumkarbid im Kurzschlussfall?

Der Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) kann Leistungsumrichter wesentlich effizienter machen. Allerdings stellt deren geringe Kurzschlussfestigkeit ihre Praxistauglichkeit infrage. Wie robust sind solche Bauteile eigentlich, und lässt sich das Problem schaltungstechnisch entschärfen?

GaN im Test gegen Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter für Elektrofahrzeuge

Die Elektrisierung des Autos braucht Leistung. Galliumnitrid-Transistoren bedienen die...

AEC-Q101-konforme P-Kanal-MOSFETs

Nexperia halbiert Größe bei gleicher Leistung

Nexperia hat die branchenweit erste P-Kanal-MOSFET-Familie im robusten und...

Dr. Steffen Metzger, Infineon

Warum SiC-MOSFETs für 650 Volt?

Mitte Februar 2020 hat Infineon seine Siliziumkarbid-MOSFETs mit einer Serie mit 650 V...

Power-Bausteine für Induktionsgeräte

Toshiba bringt 1350V-IGBT für hohe Temperaturen und wenig Verlust

Toshiba hat einen diskreten 1350V-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für...

Sanan IC

Foundry-Plattformen für SiC und GaN

Ein erweitertes Portfolio an Prozessen für die Fertigung von...

Überstrom sicher begegnen

Intelligente Leistungshalbleiter für funktionale Sicherheit

Sicherheit im Auto bedeutet nicht nur, ob der Fahrer angeschnallt ist. Auch die...

MOSFET-Lieferung für Beatmungsgeräte

Zuverlässige Motorsteuerung sichert Überleben

Mit der Lieferung von rund 38 Millionen MOSFETs unterstützt Infineon Technologies...

Ausfalltests für Galliumnitrid-HEMTs

Zuverlässiger als Silizium-MOSFETs

Ihren elften Zuverlässigkeitsbericht ihrer GaN-Bauteile hat EPC (Efficient Power...

Siliziumkarbid für die Industrie

Mehr Leistungsdichte für Elektroautos, Datenzentren und Industrie

Der Halbleiterhersteller Cree hat neue 650-V-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid auf...