Leistungshalbleiter

Galliumnitrid / Übernahme

STMicroelectronics erwirbt Mehrheitsbeteiligung an Exagan

Nachdem STMicroelectronics bereits mit CEA-Leti und TSMC bei Galliumnitrid zusammenarbeitet, hat das Unternehmen nun angekündigt, eine Mehrheitsbeteiligung am GaN-Innovator Exagan zu erwerben. In zwei Jahren könnte ST das französische Start-up…

Toshiba

AEC-Q101-qualifizierter 100-V-n-Kanal-MOSFET

Toshiba bringt einen neuen 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET auf den Markt, der für…

Maxim Integrated Products

Es geht auch ohne Messmanschette

Hochintegrierte optische Module und einsatzbereite Algorithmen im Sensor-Hub-IC…

ams

Schärfere medizinische Bilder

Durch den Einsatz des hochintegrierten CMOS-Chips AS5950 von ams lassen sich Zeit- und…

Infineon Jahreshauptversammlung 2020

»Wenn der Markt anzieht, wird Infineon bereit sein«

Auf der Jahreshauptversammlung von Infineon blickte Vorstandsvorsitzender Dr. Reinhard…

Versorgungssicherheit für SiC-Wafer

Ausbau der Zusammenarbeit

Für mehr als 120 Millionen Dollar wird die Rohm-Tochter SiCrystal in den nächsten Jahren…

Nexperia als neuer GaN-Player

Mit Fokus auf Automotive

Nexperia verfolgt im GaN-Bereich einen Geschäftsansatz, der sich auf den Bereich…

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2019

Im Zeichen von SiC und GaN

Mit der immer mehr in den politischen Fokus rückenden Klimaerwärmung könnten schon in…

Interview mit Andreas Urschitz, Infineon

»Digital Power ist der Enabler für SiC und GaN«

Um Infineons Marktführerschaft im Bereich Leistungselektronik auszubauen, setzt Andreas…

Leistungshalbleiter: Book-to-Bill-Rate

Vom Verkäufer- wieder zum Käufermarkt

Und dann war die große Sause vorbei: Auf zwei Jahre Allokation folgte 2019 die notwendige…