Leistungshalbleiter

Fünfjahresvertrag abgeschlossen

GTAT beliefert ON Semiconductor mit SiC-Rohmaterial

Einen 50 Mio. US-Dollar schweren Liefervertrag über das Siliziumkarbid-Material CrystX haben dessen Hersteller GT Advanced Technologies (GTAT) und ON Semiconductor geschlossen. Damit möchte ON Semiconductor sein Lieferantennetzwerk breiter aufstellen.

Digitale PCIM Awards 2020

Sieger untersucht Hochvolt-SiC-Packaging bei 200°

Die Gewinner des Best Paper Award und des Young Engineer Award stehen fest. Die...

Fertigung von Leistungshalbleitern

Mitsubishi Electric erwirbt Standort von Sharp

Um der steigender Nachfrage nach Leistungshalbleitern nachzukommen, hat Mitsubishi...

Chips für die Elektromobilität

Infineon beliefert Danfoss Silicon Power

Einen mehrjährigen Volumenvertrag haben Danfoss und Infineon Technologies geschlossen,...

Infineon baut Produktportfolio aus

»Bei SiC trifft es wirklich zu: Portfolio matters!«

Aktuell basiert das SiC-Geschäft von Infineon vor allem auf Industrieapplikationen. Mit...

Neue 650-V-GaN-Technik für Automotive

Kleinere und bessere Galliumnitrid-FETs, ohne zusätzliche Treiber

Nexperia stellt eine neue Generation 650-V-GaN-Technik vor, mit hohem Gütefaktor, mehr...

Nexperia / Galliumnitrid

Neues SMD-Gehäuse für höhere thermische Performance

Zusammen mit der zweiten Generation an GaN-Transistoren hat Nexperia auch das neue...

Infineon / Siliziumkarbid-MOSFETs

Verschiedene Treiberoptionen für CoolSiC evaluieren

Um das Schaltverhalten von CoolSiC-MOSFET mithilfe des Doppelpulstests zu untersuchen,...

Neue 1200-V-SiC-MOSFET-Familie

AOS bietet jetzt auch MOSFETs aus Siliziumkarbid

Nach erfolgreichen Langzeittests mit Siliziumkarbid-Technologie erweitert Alpha und...

Siliziumkarbid

Forscher lernen mehr über SiC-Defekte

Die Defektdichte bei SiC-Wafern zu senken, ist eine große Herausforderung. Nun hat ein...