Leistungshalbleiter

Offensive in Sachen Wideband-Gap

ST gibt Vollgas

Mit massiven Investitionen in seine SiC- und GaN-Produktionskapazitäten will STMicroelectronics sich bis 2025 eine führende Position auf dem Weltmarkt sichern.

Oliver Konz, Würth Group

»Ich will alles auf Leiterplatte liefern, nur keine Halbleiter«

»Back to normal« lautet die Devise von Oliver Konz, Executive Vice President der Würth…

Marktüberblick zu SiC und GaN

Yole: »2020 wird das GaN-Jahr!«

Die Welt der Leistungselektronik gilt als sehr konservativ. Doch mittlerweile haben SiC…

Siliziumkarbid / Foundry-Services

X-FAB fügt eigene SiC-Epitaxie hinzu

Neben dem weiteren Ausbau der Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid (SiC) fügt X-FAB…

JEDEC / Galliumnitrid

Zuverlässigkeit von GaN-Transistoren bewerten

Mit der JEP180 hat die JEDEC eine Richtlinie veröffentlicht, mit deren Hilfe sich die…

Power Integrations

Robuste GaN-basierte InnoSwitch3-ICs nach unten erweitert

Die bisherigen InnoSwitch3-Familien von Power Integrations zielen auf Leistungen von bis…

Efficient Power Conversion (EPC)

Monolithische GaN-Halbbrücke mit Treiber für 80 V/12,5 A

Mit dem EPC2152 hat Efficient Power Conversion (EPC) das erste Mitglied der neuen…

Für 450 Mio. US-Dollar

SK Siltron übernimmt SiC-Wafer-Sparte von DuPont

SiC-Wafer sind das Ausgangsmaterial für Leistungshalbleiter für Elektroautos und 5G-Netze.…

Heraeus

Sinterpaste für HF-Leistungsverstärker

Weil die neue Sinterpaste von Heraeus Electronics eine sehr gute Wärmeleitfähigkeit…

Coronavirus

APEC 2020 findet nicht statt

Die APEC (Applied Power Electronics Conference) und ihre Sponsoren IEEE IAS, IEEE PELS und…