Leistungshalbleiter

Galliumnitrid / Transphorm

Ist GaN wirklich zuverlässig?

Auch wenn Galliumnitrid (GaN) viele Vorteile zu bieten hat, bleiben Entwickler beim Einsatz in sicherheitsrelevanten Umgebungen oder solchen, wo ein Ausfall hohe Kosten verursacht, lieber bei älteren, erprobten Lösungen. Doch ist GaN mittlerweile…

Power-Highlights auf der electronica

Automotive-GaN-FET mit 99% Wirkungsgrad

Texas Instruments stellt einen neue 600 und 650 V-GaN-FET für die Automotive-Branche und…

Liefervertrag für Siliziumkarbid

Infineon sichert sich SiC-Boules von GT Advanced Technologies

Einen über fünf Jahre laufenden Liefervertrag für SiC-Boules (Siliziumkarbid-Rohkristalle)…

Halbleiter-Lieferkette

Infineon sichert sich SiC-Quelle bei GT Advanced

SiC boomt, doch das Rohmaterial dafür ist knapp. Infineon hat mit GT Advanced einen…

Intelligente Power-Module

STMicroelectronics und Sanken kooperieren

Eine strategische Partnerschaft für die Entwicklung intelligenter Power-Module für…

Megatrends bei Leistungshalbleitern

»Die Zukunft ist elektrisch und gehört SiC und GaN«

Der Wandel von Silizium zu Siliziumcarbid wird sich im Automobil- und Automotive-Bereich…

Ultraschnelle Ladegeräte

Treiber und GaN-Leistungstransistor in einem Modul

Das weltweit erste Modul mit Si-Treiber und GaN-Leistungstransistoren soll Ladegeräte und…

Toshiba / Siliziumkarbid

Zweite SiC-MOSFET-Generation

Als ersten Siliziumkarbid-MOSFET, der auf der im Juli 2020 vorgestellten zweiten…

Dr. Peter Friedrichs, Infineon

Wie die Preise für Siliziumkarbid-Wafer schneller sinken

Infineon erweitert sein Portfolio an Siliziumkarbid-Bauelementen sukzessive. Also…

Neuartige Leistungshalbleiter

Siliziumtransistoren mit der Performance von SiC und GaN

Hinter Bizen (Bipolar/Zener) verbirgt sich eine neuartige Prozesstechnologie für…