Leistungshalbleiter

AEC-Q101-konforme P-Kanal-MOSFETs

Nexperia halbiert Größe bei gleicher Leistung

Nexperia hat die branchenweit erste P-Kanal-MOSFET-Familie im robusten und platzsparenden LFPAK56-Package (Power-SO8) auf den Markt gebracht. Die neuen Bauelemente erfüllen die Anforderungen gemäß AEC-Q101 für den Automobilbau und sollen ein Ersatz…

Dr. Steffen Metzger, Infineon

Warum SiC-MOSFETs für 650 Volt?

Mitte Februar 2020 hat Infineon seine Siliziumkarbid-MOSFETs mit einer Serie mit 650 V…

Power-Bausteine für Induktionsgeräte

Toshiba bringt 1350V-IGBT für hohe Temperaturen und wenig Verlust

Toshiba hat einen diskreten 1350V-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für…

Sanan IC

Foundry-Plattformen für SiC und GaN

Ein erweitertes Portfolio an Prozessen für die Fertigung von…

Überstrom sicher begegnen

Intelligente Leistungshalbleiter für funktionale Sicherheit

Sicherheit im Auto bedeutet nicht nur, ob der Fahrer angeschnallt ist. Auch die…

MOSFET-Lieferung für Beatmungsgeräte

Zuverlässige Motorsteuerung sichert Überleben

Mit der Lieferung von rund 38 Millionen MOSFETs unterstützt Infineon Technologies…

Ausfalltests für Galliumnitrid-HEMTs

Zuverlässiger als Silizium-MOSFETs

Ihren elften Zuverlässigkeitsbericht ihrer GaN-Bauteile hat EPC (Efficient Power…

Siliziumkarbid für die Industrie

Mehr Leistungsdichte für Elektroautos, Datenzentren und Industrie

Der Halbleiterhersteller Cree hat neue 650-V-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid auf den…

Exklusive Branchenumfrage

Wie die Corona-Krise die Medizintechnik herausfordert

In der Corona-Krise ist der Bedarf an medizintechnischen Produkten schlagartig explodiert.…

Siliziumkarbid auf dem Vormarsch

Microchip nimmt SiC-Leistungsmodule ins Programm

Microchip nimmt neue SiC-Leistungsmodule ins Portfolio und setzt auf die weiter wachsende…