Leistungshalbleiter

Mars-Mission Perseverance

Infineon-ICs lassen Mars-Rover arbeiten

Tausende strahlungsgehärtete Komponenten befinden sich im Rover, den die NASA jetzt auf die Reise zum Mars schickt.

SiC, GaN und Si in der Elektromobilität

Verdrängung oder Koexistenz?

Werden Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter Silizium-basierte Halbleiter wie IGBTs oder...

Sperrwandler-Schalter-IC

Ein Notschalter für die E-Mobility

Auf Anwendungen im Bereich der Elektromobilität ist der AEC-Q100-qualifizierte...

Rohm baut Engagement im SiC-Bereich aus

Zusammenarbeit mit Vitesco Technologies

Rohm Semiconductor ist eine Entwicklungspartnerschaft mit Vitesco Technologies...

Leistungselektronik-to-go

Modulare, PCB-integrierte GaN-auf-Si-Halbbrückenschaltung

Das Fraunhofer IAF hat monolithisch integrierte GaN-Power-ICs mittels...

IGBT-Module in rauen Umgebungen

Bis zu 20 Jahre Lebensdauer durch erweiterten H2S-Schutz

In rauen Umgebungen muss Leistungselektronik robust sein, einen großen Einfluss auf die...

Leistungshalbleiter

SiC gräbt weiter im Silizium-Becken

Mit einem neuen 62 mm-Siliziumkarbid-Modul will Infineon Anwendungen im mittleren...

SiC-MOSFET-Halbleiter

40 % weniger Einschaltwiderstand für Elektrofahrzeuge

SiC-MOSFETS in Elektroautos verprechen hohe Wirkungsgrade, weniger Verluste und am Ende...

Ansteuerung von LEDs

Moderne Beleuchtungslösungen für Automobilanwendungen

Bei Scheinwerfern und Rückleuchten kommen vermehrt Produkte zur automatischen...

Silizium-, SiGe- und GaN-Komponenten

Konsequenter Portfolio-Ausbau

650-V-GaN-FETs, SiGe-Gleichrichter und ein weiterer Ausbau des AEC-Q101-qualifizierten...