GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafer
IVWorks übernimmt GaN-Wafertechnologie von Saint-Gobain
IVWorks hat das Geschäft und die Technologie von GaN-on-GaN-Epitaxial-Wafern vom französischen Mischkonzern Saint-Gobain übernommen. Damit will das südkoreanische Start-up den Wettbewerb im Bereich der Elektromobilität mit Siliziumkarbid-MOSFETs vorantreiben.
Der französische Mischkonzern Saint-Gobain gehört zu den weltweit führenden Unternehmen im Bereich des leichten und nachhaltigen Bauens und entwickelt, produziert und vertreibt Materialien und Dienstleistungen für die Märkte Bau und Industrie. Gleichzeitig hat das Unternehmen eine Schlüsseltechnologie entwickelt, um GaN-Wafer zu fertigen.
Dieses Geschäftsfeld hat nun IVWorks übernommen. Damit hat das südkoreanische Start-up-Unternehmen Zugang zu modernster Technologie für die Massenfertigung von GaN-Wafern mit 4 Zoll (10 cm) und 6 Zoll (15 cm) Durchmesser. Neben Saint-Gobain können auch einige japanische Materiallieferanten wie Sumitomo Chemical und Mitsubishi Chemical derartige Wafer fertigen. Üblicherweise werden heute GaN-Leistungshalbleiter in einer Hetero-Epitaxie auf Silizium- (GaN-on-Si) oder Siliziumkarbid-Wafern (GaN-on-SiC) aufgewachsen.
IVWorks hat erfolgreich 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll große GaN-on-GaN-Epi-Wafer in großen Stückzahlen produziert und hat einen Epi-Wafer-Prozess entwickelt, der künstliche Intelligenz nutzt. Vor kurzem hat das Unternehmen eine Produktionsanlage für 12-Zoll-Wafer in Betrieb genommen.
»Aufgrund ihrer Vorteile bei der Energieeffizienz steigt der Einsatz von GaN-Leistungsbauelementen in vielen Märkten deutlich an, und das Interesse an Galliumnitrid ist im Bereich der Elektrofahrzeuge groß«, erklärte Young-Kyun Noh, CEO von IVWorks. »Mit dieser Akquisition können wir unser Produktportfolio erweitern, indem wir GaN-on-GaN-Epi-Wafer für Hochleistungsanwendungen anbieten und mit Siliziumkarbid-MOSFETs auf dem Markt für Elektrofahrzeuge konkurrieren.«