Kommentar / Neue Waferfab von Wolfspeed

Verliebt ins Saarland

7. Februar 2023, 15:00 Uhr | Ralf Higgelke
WEKA Fachmedien, Gregg Lowe, Cree, Wolfspeed, PCIM 2018
© Componeers GmbH

Gregg Lowe hat eine neue Liebe: das Saarland. Dies gestand der CEO von Wolfspeed, als er am 1. Februar 2023 bekannt gab, dass sein Unternehmen die weltweit größte Fertigung für Siliziumkarbid-Halbleiter im saarländischen Ensdorf plant.

Diesen Artikel anhören

Dass Gregg Lowe Deutschland mag, ist gut bekannt. In den 1990-er Jahren hat er in Freising bei München für einen texanischen Halbleiterhersteller gearbeitet, ein Teil seiner Familie lebt hier, und er spricht passabel Deutsch. Aber dass er eine Präferenz für das Saarland hat, das war neu.

Als ich ihn fragte, warum Wolfspeed diesen Standort gewählt habe, meinte er, dass sich die dortige Staatsregierung von Anfang an richtig ins Zeug gelegt hat, um dieses Investment von etwa drei Milliarden Euro an Land zu ziehen. Als zweiten Grund nannte er den großen Pool an erfahrenen und gut ausgebildeten Technikern und Ingenieuren, aus denen man die künftige Mannschaft für die »Saarplant« rekrutieren könne.

Am 1. Februar 2023 hat Wolfspeed gemeinsam mit seinem Partner ZF bekannt gegeben, nicht nur die erste Fab für 200-mm-Wafer aus Siliziumkarbid außerhalb der USA zu bauen. Gleichzeitig wird es auch die größte dedizierte SiC-Waferfab weltweit. Warum das Saarland das Rennen gemacht hat, erklärte uns exklusiv Wolfspeed-CEO Gregg Lowe.

So wird der Strukturwandel weg von der Montanindustrie sowie vom Verbrennungsmotor hin zu Erneuerbaren Energien und zur Elektromobilität ein Standortvorteil. »Heute schlagen wir ein neues Kapitel in der Wirtschaftsstruktur unseres Landes auf«, resümierte denn auch Ministerpräsidentin Anke Rehlinger. Ihre Hoffnung ist, dass diese Standortentscheidung als Kristallisationskeim für weitere Ansiedlungen im Hightech-Bereich dient.

Das Saarland ist bekannt für Bergbau und Kohle, doch diese Industrien haben wegen der Energie und Mobilitätswende wenig Zukunft. Was das Saarland geleistet hat, um den Zuschlag für die neue Wolfspeed-Fab zu bekommen, erklärte uns exklusiv die Ministerpräsidentin Anke Rehlinger.

Überraschend kommt die Entscheidung für eine weitere 200-mm-Fab keineswegs. Denn ab 2024 soll der erste Teil des John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide in North Carolina anlaufen. Dann wird Wolfspeed dort riesige Mengen an SiC-Substraten mit 200 mm Durchmesser produzieren. Und die müssen dann prozessiert werden. Aber die derzeit einzige 200-mm-Fab ist die vor knapp elf Monaten im US-Bundesstaat New York eröffnete Mohawk Valley Fab von Wolfspeed. Dass die Zeit für eine zweite Fab sehr drängte, zeigt auch die Tatsache, dass Wolfspeed dieses Investment ankündigte, noch bevor die Europäische Union die Fördermittel aus dem IPCEI-Fonds bewilligt hat. Doch das dürfte nur eine Formsache sein.

Dass Silicon Saxony dieses Mal leer ausging, nahm deren Geschäftsführer Frank Bösenberg sportlich: »Man muss auch mal gönnen können. Und ich glaube ernsthaft daran, dass es für die ganze Branche – und damit auch für Silicon Saxony – besser ist, wenn in noch mehr Bundesländern Halbleiter produziert werden.«

Ob jetzt noch andere Chiphersteller ihre Liebe zum Saarland entdecken?


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

Michael Kretschmer, Ursula von der Leyen, Jochen Hanebeck, Olaf Scholz und Dirk Hilbert,

Spatenstich für neues Infineon-Werk

Produzieren, produzieren, produzieren!

Infineon Technologies

Neue Potenziale für Elektrofahrzeuge

Entwicklung von Onboard-Ladegeräten für künftige Elektrofahrzeuge

Hy-Line Power Components

Hy-Line Power Components

Leistung bereitstellen, schalten und speichern

Toshiba Electronics Europe

Toshiba Electronics

SiC-Cube

ASMPT

ASMPT

Power für Elektromobilität

TrendForce

TrendForce-Analyse zu Siliziumkarbid

E-Mobilität und Erneuerbare als Hauptmärkte

Wawer Peter

Interview mit Dr. Peter Wawer, Infineon

Kapazitäten von Si auf SiC umgewidmet

Engelbert Hopf.jpg

Kommentar

Der Streit um Fördergelder

Diamant

Fehlgeleitete Subventionen

Wenn Siliziumkarbid beim Juwelier landet

Infineon Technologies, Peter Wawer

Siliziumkarbid-Material

Infineon und Resonac weiten Liefervereinbarung aus

SergeyNivens/AdobeStock

Industrie präferiert weiter Silizium

Dämpfer beim SiC-Hype?

Soitec, STMicroelectronics,

Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics will SmartSiC-Technologie von Soitec nutzen

Hassane El-Khoury, onsemi, electronica 2022, Ralf Higgelke

Hassane El-Khoury, CEO von onsemi

»Fokus auf SiC! Brauchen wir GaN, kaufen wir es zu«

Microchip Technology

SiC-MOSFETs mit 1700 V Sperrspannung

Keine Kompromisse mehr nötig

LHL-Forum

Weitere Milliarden für SiC-Fertigungen

Hoffen auf ein Soft Landing

STMicroelectronics, Jean-Marc Chery, Silicon Carbidxe, SiC

STMicroelectronics

Neue Fertigung für SiC-Epitaxiewafer in Catania

onsemi, Silicon Carbide, Roznov, Czech Republic

Siliziumkarbid

onsemi erweitert Werk in Tschechien um das 16-Fache

Silicon Carbide, Wolfspeed, Chatham County

Wolfspeed verzehnfacht Kapazität

Mehrere Milliarden Dollar für neue SiC-Materialfabrik

Silicon Carbide, Peter Gammon, onsemi

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 1)

Wie SiC-MOSFETs langfristig günstiger werden

Infineon, CoolSiC, Angelique van der Burg

Siliziumkarbid-Wafer

Infineon schließt Liefervertrag mit II-VI

onsemi

onsemi expandiert bei Siliziumkarbid

Neue SiC-Boule-Fertigung erhöht Kapazität um das Fünffache