Leistungshalbleiter

Fairchild Semiconductor

PowerTrench p-Kanal MOSFETs

Die 1,5-V-PowerTrench-P-Kanal MOSFETs FDZ661PZ und FDZ663P von Fairchild Semiconductor befinden sich in einem 0,4 x 0,8 x 0,8 mm (HxBxT) großen WL-CSP Gehäuse.

20 Jahre Lebensdauer

Gate-Treiber für SiC-JFET von SemiSouth

Das komplette isolierte Gate-Treiber-Referenzdesign HADES von Cissoid für den…

iCoupler Digitalisolator-Technik

Schnelle isolierte Halbbrücken-Gatetreiber

Die auf der iCoupler-Digitalisolator-Technik von Analog Devices basierenden isolierten…

Neues Ansteuerkonzept für IGBT-Module

Ein Gate-Treiber für alle Fälle

IGBTs sind seit etwa 30 Jahren kommerziell verfügbar. Sie haben inzwischen mehrere…

Leistungs-MOSFETs

Trench ist nicht immer besser

Viele Ingenieure nehmen an, die Leistungsverluste in einem Leistungs-MOSFET seien eine…

Optimierung von Wechselrichterdesigns

Effizientere Solarumrichter

Die Neutral-Point-Clamp-Wechselrichtertopologie bietet eine Alternative zu den derzeit…

Schottkydioden aus Siliziumkarbid

Dünne Wafer machen SiC besser

Bei Leistungshalbleitern aus Silizium haben sich Dünnwafer bewährt. Mit dünneren Chips…

Semikron

3-Level-Technik für Solar- und USV-Anwendungen

Ab sofort bietet Semikron IGBT-Module der Bauformen MiniSKiiP, SEMITOP und SKiM4 in…

Infineon Technologies

Superjunction-MOSFET mit Fast-Body-Diode

Als branchenweit erster Superjunction-MOSFET verfügt der 650-V-CoolMOS-CFDA von Infineon…

Toshiba Electronics

Schnell schaltende IGBTs

Auf Anwendungen wie Induktionskochfelder und andere Einsatzgebiete von…