Leistungshalbleiter

IGBT-Module

Aufbauinduktivität reduziert

In der Leistungselektronik steigt die Leistungsdichte stetig. Ziel ist eine Kostenreduktion und Designoptimierung des kompletten Frequenzumrichters. So hat sich in den letzten 22 Jahren die Stromdichte der IGBTs verdreifacht. Dadurch rückt die…

Verluste bei Power Integrations

SemiSouth macht zu

Power Integrations hat für das dritte Quartal zusätzliche Belastungen von 60 Mio.…

Dioden

Schlanker 1-A-Brückengleichrichter für LED-Vorschaltgeräte

Mit dem EBS 1xx hat der taiwanische Hersteller Eris Technology einen…

SiC-MOSFETs

Mythos Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

Die Gate-Oxid-Zuverlässigkeit vor allem bei Si-MOSFETs stellt die Entwickler mit…

Niedriger IQ kein Problem

Ruhestrom von Linearreglern minimieren

Eine der wichtigsten Herausforderungen, mit denen Entwickler derzeit konfrontiert sind,…

Deckel unnötig

Montage von Power-Modulen

In letzter Zeit haben immer mehr Power-Modul-Hersteller Produkte mit einer…

Thermischer Herausforderung begegnen

Neue Power-MOSFET-Generation

Bei neueren Halbleitertechnologien wie dem Dünnen der Wafer bei Leistungs-MOSFETs ist…

Leistungselektronik

Neue MOSFETs und Schottky-Dioden für die drahtlose Ladetechnik

Toshiba Electronics Europe (TEE) erweitert sein Angebot um…

LinkSwitch-HP-ICs von Power Integrations

Primärseitig geregelte Stromversorgungen bis 90 Watt

Die energieeffizienten Offline-Schalter-ICs der LinkSwitch-HP-Reihe von Power Integrations…

Die Siliziumkarbid-Technologie erreicht ihren…

SiC-Leistungshalbleiter bieten ein einzigartiges Eigenschaftenspektrum

Leistungshalbleiter-Lösungen auf SiC-Basis bestachen in der Vergangenheit zwar durch ihre…