Infineon

MOSFET-Generation für höhere Leistungsdichte

23. Mai 2012, 16:44 Uhr | Iris Stroh
Die neuesten MOSFET-Generationen von Infineon mit 40-V- bzw. 60-V-Sperrspannung setzen neue Maßstäbe bei Leistungsdichte und Systemwirkungsgrad.
© Infineon Technologies

Höhere Leistungen und Leistungsdichten, Miniaturisierung oder höhere Ausgangsströme bei unverändertem Bauvolumen – alles Punkte auf der Wunschliste der Entwickler. Und die neuesten MOSFET-Generationen von Infineon mit 40-V- bzw. 60-V-Sperrspannung erfüllen diese Wünsche.

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Infineon hat seine neuen Bausteine der OptiMOS 40V- und 60V-Familie speziell für die Synchron-Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) wie zum Beispiel in Servern und Desktop-PCs optimiert. Darüber hinaus eignen sie sich bestens für viele Industrieanwendungen wie Motorsteuerungen, Solar Mikro-Inverter und schnell schaltende DC/DC-Wandler. Durch welche Besonderheiten sich die Bausteine auszeichnen und welche positiven Auswirkungen das in der Praxis hat, wird detailliert erklärt.


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