20 Jahre Lebensdauer
Gate-Treiber für SiC-JFET von SemiSouth
Das komplette isolierte Gate-Treiber-Referenzdesign HADES von Cissoid für den Siliziumkarbid-JFET SJEP120R100 von SemiSouth erreicht Schaltverluste von 124 µJ, was um den Faktor 10 bis 20 unter den Verlusten von Standard-IGBTs liegt.
Die Gate-Treiber hat Cissoid vor allem für den Einsatz im Transportwesen und in Solaranlagen ausgelegt. Ausgestattet mit den Chips THEMIS, ATLAS und RHEA in Keramik- und Metallgehäusen arbeitet das Referenzdesign mit Sperrschichttemperaturen von -55 bis +225 °C. In den kommenden Monaten wird Cissoid auch Versionen für niedrigere Temperaturen bis 125 °C vorstellen, die eine Lebensdauer von mindestens 20 Jahren erreichen.
Das Test-Board auf Basis des SJEP120R100 von SemiSouths kann 600 V und 10 A innerhalb von 14 bzw. 24 ns schalten. Die Hochtemperaturversion des HADES-Board P/N EVK-TIT0636B und die Applikationsschrift CISSOID AN-121168 stehen ab sofort zur Verfügung. Die kostengünstige Einkanal-Version des isolierten Gate-Treiber-Chipsets bietet CISSOID in den kommenden Monaten an.
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