Leistungshalbleiter

Mehr als 12 GaN-Anbieter im Jahr 2014

GaN-Transistorenmarkt erreicht 2019 die 1-Mrd.Dollar-Umsatzschwelle

Noch bewegt sich das Umsatzvolumen für GaN-Leistungstransistoren bei knapp 2,5 Mio. Dollar (2011); bis 2019 sagt Yole Développment eine Marktexplosion auf eine Mrd. Dollar voraus.

Höhere Leistungsdichte

Infineons neue MOSFET-Generation in 40 V und 60 V

In der Elektronik geht der Trend zu höheren Leistungen und Leistungsdichten auch im Jahr…

Enprion: Schnelles Design, geringer Platzverbrauch

Komplette DC/DC-Power-Systeme

Einfaches Design, kleine Bauform und reduzierte Komplexität: Dadurch zeichnen sich…

SiC-Vertical-JFET

Vertikale Kanäle für mehr Leistung

SemiSouth hat zwei Sperrschicht-Transistoren auf Basis von Siliziumkarbid herausgebracht.

IGBT-Treiber

Für Umrichter bis 1,5 MW

Mit dem Skyper 42 bietet Semikron einen Treiber für IGBT-Module von 400 bis 2.000 A.

SiC-MOSFET

Leckstrom unter 1 µA

Cree hat eine Produktfamilie von Siliziumcarbid-MOSFETs unter dem Namen Z-FET auf den…

Amantys

Universeller Treiber für IGBT-Module

Jedes IGBT-Modul hat seine eigene Charakteristik, weshalb der IGBT-Treiber jeweils neu zu…

Entwicklungshilfe

SiC-JFETs korrekt ansteuern

Siliziumkarbid-JFETs sind eine neue Klasse an Leistungsschaltern, die ein wenig anders…

Drei Level steigern Wirkungsgrad

»Intelligente« Halbleitermodule für Umrichter

Vor fast drei Jahrzehnten wurde erstmals die 3-Level-Topologie für IBGT-Module…

Neue Herausforderungen durch Miniaturisierung

Trends bei Leistungshalbleitern

Höher, schneller, kleiner - das ist eine Tendenz bei den Leistungs-Halbleitern. Höhere…