Leistungshalbleiter

Power-MOSFET

Branchenerster SiC-Power-MOSFET mit integrierter SiC-SBD

Der Hochvolt-Power-MOSFET SCH2080KE von Rohm wartet mit deutlich reduzierten Leistungsverlusten auf. Davon profitieren Anwendungen wie Frequenz- und Stromumrichter. Erstmals konnte eine SBD in Siliziumkarbid erfolgreich in das gleiche Gehäuse…

IGBT

Nennspannung bis 1.350 V

Schnell schaltende, integrierte IGBTs mit einer Nennspannung bis zu 1.350 V hat Toshiba…

JFET

SiC-JFET mit horizontalem Kanal

Ein SiC-JFET mit horizontalem Kanal hat Infineon im Portfolio: Die selbstleitenden…

Hochvolt-MOSFETs

Wirkungsgrad steigern mit CE-MOSFETs

Die CoolMOS-CE-Familie ist die vierte Technologie-Plattform der Hochvolt-MOSFETs von…

Microchip

Microchip erweitert Power-Angebot – erstmals auch MOSFETs

Microchip hat mit dem MCP19035 eine neue Familie von analogen Leistungsreglern und…

Konsolidierung

SiC-JFET-Pionier Semisouth am Abgrund

Nach dem Rückzug seines Hauptinvestors Power Integrations hatte der SiC-JFET-Pionier…

Galliumnitrid und Siliziumkarbid

Neue Materialien, neue Möglichkeiten

Die Nachfrage nach leistungselektronischen Systemen steigt und wird auch in den nächsten…

300-mm-Dünnwaferfertigung

Mit Power300 in die Zukunft

Infineon ist es als erstem Unternehmen gelungen, Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern zu…

Bipolartransistor reloaded

Neuartiger Halbleiter aus Siliziumkarbid

Siliziumkarbid kann den Bipolartransistoren wieder neues Leben einhauchen. Im Gegensatz zu…

Fairchild

Siliciumcarbid-Leistungshalbleiter

Fairchild Semiconductor zeigt auf der electronica 2012 die neuste SiC-Technik…