Leistungs-MOSFETs
Robuste Leistungsbausteine von IR im TO-220-Fullpak-Gehäuse
International Rectifier hat Leistungs-MOSFETs vorgestellt, die in einem robusten TO-220 Fullpak-Gehäuse untergebracht sind und sich für den Automotive-Einsatz, wie in BLDC-Motoren, Pumpen oder Kühlsysteme eignen.
Die 55-V-Planarbausteinen verfügen über Standard- und Logikpegel-Gate-Ansteuerung in N- und P-Kanal-Konfiguration. Sie zeichnen sich durch einen maximalen RDS(on) von 8 mΩ aus. Durch den Einsatz des TO-220-Fullpak-Gehäuses ist keine zusätzliche Isolation erforderlich, wodurch die Entwicklung vereinfacht und die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems verbessert wird.
IRs MOSFET-Familie ist für den Linearbetrieb sowie für Automobil-Applikationen, bei denen ein robuster, zuverlässiger MOSFET zur Ansteuerung hoch-induktiver Lasten gebraucht wird, ausgelegt.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Leistungshalbleiter
600-V-Trench-IGBTs von IR sorgen für hohe Leistungsdichte in (H)EVs
Interview
GaN wird ab 2013 zum Umsatz von International Rectifier beitragen
NXP Semiconductors
Trench 6 MOSFETs bestehen erweiterte Lebensdauerprüfungen
Infineon
MOSFET-Generation für höhere Leistungsdichte
Leistungshalbleiter
IR mit schnell schaltenden 600-V-HF-IGBTs für Stromversorgungen im Auto
