Energiesparende MOSFETs und IGBTS

Moderne Technologien für effiziente Halbleiter

11. Dezember 2014, 10:32 Uhr | von Florian Freund und Philip Lolies
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Dioden mit wenig Leckstrom

Im Bereich der Niederspannungsdioden bietet der Hersteller zusätzlich eine Neuheit, welche die üblichen Nachteile von Schottky-Dioden minimiert und die Vorteile beibehält. Die hier verwendete Trenchtechnik ermöglicht ähnlich niedrige Vorwärts-Flussspannungen wie traditionelle Schottkydioden, weist aber durch den speziellen Aufbau einen wesentlich geringeren Leckstrom auf.

Mit den FERD-Bauteilen (Field Effect Rectifier Diode) mit Nenn-Sperrspannungen von 30 V bis 100 V zielt der Hersteller auf Anwendungen, die bisher mit klassischen Schottky- bzw. Ultrafast-Dioden arbeiten. Bei diesen klassischen Schottkydioden ist die Vorwärtsspannung zwar sehr niedrig, der Leckstrom steigt jedoch mit der Temperatur stark an. Weil in den neuen FERD-Dioden statt einer planaren Schottky-Sperrschicht eine Trench-Technologie zum Einsatz kommt, liegt der Leckstrom hier deutlich niedriger. Gleichzeitig kommt der Wert für die Vorwärtsspannung zwar nicht ganz an den einer 
Schottky-Diode heran, liegt jedoch deutlich unter dem einer Ultrafast-Diode. Erreichen ließ sich dies durch eine Technologie, die der eines MOSFETs ähnelt – es handelt sich hier also quasi um einen 
Trench-MOSFET ohne Gate. Zugleich liegt der Rückwärts-Erholstrom gegenüber Schottkydioden deutlich niedriger.

Eine typische Anwendung für die FERD-Bauteile sind Schaltungen, die den Energieertrag von Solarpanels optimieren sollen. Hier kamen bisher Dioden zum Einsatz, um Abschattungsverluste auf möglichst kleiner Fläche zu begrenzen. Durch die niedrigeren Leckströme bieten die neuen Dioden hier viel geringere Verluste über die Betriebszeit. Auch bei Schaltungen für den Verpolungsschutz bietet die neue Technik Vorteile, den hier sind die Dioden permanent im Sperrbetrieb, daher spielt der Leckstrom eine entscheidende Rolle für die Verluste.

Auch bei integrierten Lösungen für die Leistungswandlung in Motorsteuerungsanwendungen bringt STMicroelectronics neue Lösungen auf den Markt...

Initiative für »Power ’n More«

Silica setzt bei der Unterstützung von Leistungselektronik-Designs in jeder Phase des Entwicklungszyklus auf technische Kompetenz, sowohl auf System- als auch auf Produktebene. Hierfür hat das Unternehmen seine »Power ’n More«-Initiative ins Leben gerufen.

Mit dem anhaltenden Trend zur Energieeinsparung in elektronischen Systemen benötigen die Entwickler immer mehr Unterstützung, um mit den ständig neuen Anforderungen, Vorschriften und Richtlinien Schritt zu halten – doch bisher fehlte es im Distributionsmarkt an ausreichendem Fachwissen und Know-how auf diesem Gebiet. Hier setzt Silica mit dem »Power ’n More«-Programm an, gestützt von einem langfristigen Investitionsplan für zusätzliche Ressourcen, Schulungen, technischem Marketing und Equipment für den Aufbau von mehreren Leistungselektroniklabors.

Mit diesem ambitionierten Programm will Silica Vorreiter in der Industrie sein: Sehr gut ausgebildete Power-Spezialisten mit soliden Kenntnissen und Fähigkeiten in der Entwicklung von Stromversorgungslösungen unterstützen ihre Kunden während des Designprozesses. Mit 15 spezialisierten Power-Applikationsigenieuren und 25 Analog-FAEs können Kunden auf ein hoch qualifiziertes Support- und Beratungsteam zurückgreifen, wie es laut Silica kein anderer europäischer Distributor anbietet.

Innovationen treiben den Leistungselektronikmarkt voran. Silica ist Distributor für fast alle namhaften Halbleiterhersteller auf diesem Gebiet und profitiert damit von technologischen Innovationen, mit denen die Hersteller auf neue Anforderungen reagieren. Die hier vorgestellten neuen Produkte von STMicroelectronics sind nur ein Beispiel dafür, wie viel Innovation bei Leistungshalbleitern möglich ist. Zusammen mit den Highlights der anderen Lieferanten auf der Linecard kann Silica die Kunden bei jedem Designzyklus mit signifikanten Weiterentwicklungen auf den Gebieten Power-Management und Endstufen unterstützen.


  1. Moderne Technologien für effiziente Halbleiter
  2. MOSFET-Leistungsdaten: Besser als ursprünglich geplant
  3. IGBTs für mittlere Frequenzen
  4. Dioden mit wenig Leckstrom
  5. Power integriert

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