Hassane El-Khoury, CEO von onsemi

»Fokus auf SiC! Brauchen wir GaN, kaufen wir es zu«

29. November 2022, 10:31 Uhr | Ralf Higgelke
Hassane El-Khoury, onsemi, electronica 2022, Ralf Higgelke
© Componeers GmbH

Auf der electronica fragten wir Hassane El-Khoury, President und CEO von onsemi, warum und vor allem wie er Siliziumkarbid weiter vorantreiben will und warum er alle Aktivitäten bei Galliumnitrid eingestellt hat.

Diesen Artikel anhören

»Bei onsemi entwickeln wir intelligente Energie- und Sensortechnologien, die die anspruchsvollsten Probleme unserer Kunden lösen«, umreißt Hassane El-Khoury, President und CEO, die neue Strategie des Unternehmens. Um dies zu erreichen, hat er Siliziumkarbid als Kernstück der intelligenten Energietechnologien identifiziert, die die neue Welle der Elektrifizierung und der erneuerbaren Energien einleiten werden. »Deshalb«, so fügt er hinzu, »fließen viele Investitionen in diese Richtung.«

Auf der electronica fragten wir Hassane El-Khoury, President und CEO von onsemi, warum und vor allem wie er Siliziumkarbid weiter vorantreiben will und warum er alle Aktivitäten bei Galliumnitrid eingestellt hat.

Im Oktober 2021 hat onsemi den SiC-Substrathersteller GT Advanced Technologies (GTAT) für 415 Mio. US-Dollar übernommen. »Dies beschleunigte unsere Möglichkeiten, unser eigenes Substrat zu entwickeln. Seitdem haben wir diesen Standort in New Hampshire ausgebaut und werden die Materialkapazität bis Ende 2022 um das Fünffache erhöhen. Und bis Ende 2023 werden wir den größten Teil unseres Substrats intern beziehen«, betonte El-Khoury. »Durch diese vertikale Integration ist unsere Lieferkette nun stabil und belastbar. Unsere Kunden können sich deshalb darauf verlassen, dass wir sie mit den gewünschten Komponenten versorgen können.«

Gleichzeitig erhöht onsemi seine Kapazitäten für das Wafering und die Epitaxie am tschechischen Standort Roznov sowie für die Waferprozessierung in Bucheon (Südkorea), um dem höheren Ausstoß an SiC-Substraten Rechnung zu tragen. »In Bucheon verdoppeln wir die Kapazität, und wir haben die Möglichkeit, die Kapazität im nächsten Jahr nochmals zu verdoppeln«, fügte El-Khoury hinzu.

Mit der Konzentration auf Siliziumkarbid stellte Hassane El-Khoury alle internen Aktivitäten im Bereich Galliumnitrid ein. »Mit Blick auf unsere Zielmärkte – Automobil und Industrie –, ist Siliziumkarbid im Hinblick auf die Leistungsmerkmale viel besser geeignet als Galliumnitrid. Ich möchte nicht, dass uns irgendetwas von der Umsetzung unserer Strategie ablenkt«, stellte El-Khoury unmissverständlich klar. »Aber«, so fügte er hinzu, »sollte sich der Markt fortentwickeln und GaN in unseren strategischen Zielmärkten eine bedeutende Rolle spielen, werden wir diese Kompetenz durch eine Übernahme zukaufen.«


Lesen Sie mehr zum Thema


Das könnte Sie auch interessieren

Anke Rehlinger, Olaf Scholz, Gregg Lowe, Robert Habeck

SiC-Fab von Wolfspeed im Saarland

Kampfansage an STMicroelectronics und Infineon

Tesla, Silicon Carbide

Ankündigung von Tesla zu Siliziumkarbid

75 Prozent weniger SiC ist kein Drama

Infineon Technologies, Dresden

Infineon Technologies

Startschuss für neue 300-mm-Fab in Dresden

Die Ausgangsleistung über 75 W ist bei Netzteilen eine Leistungsfaktorkorrektur (PFC) vorgeschrieben. Die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter Siliziumkarbid u. Galliumnitrid machen eine Totem-Pole-PFC möglich

Totem-Pole-PFC-Schaltungen

Implementierung vereinfachen

White Adam

Interview mit Adam White, Infineon

»Wir wollen Dekarbonisierung und Digitalisierung vorantreiben«

WEKA Fachmedien, Gregg Lowe, Cree, Wolfspeed, PCIM 2018

Kommentar / Neue Waferfab von Wolfspeed

Verliebt ins Saarland

Der Motorcontroller ECS640A von Onsemi unterstützt verschiedene Kommutationsmöglichkeiten, sodass Entwickler die Vorteile von BLDCs auch wirklich nutzen können

ICs für die BLDC-Ansteuerung

Flexibilität bei der Motorsteuerung

SiC-basierter MOSFET-Nacktchip auf Wafer.

Für die Elektromobilität

Wolfspeed plant weltweit größte SiC-Waferfab im Saarland

»Der Übernahmereigen des Jahres 2015 drückt auf die CAPEX-Investitionen, die wohl erst wieder 2018 anziehen werden.  Gleichzeitig besteht die Gefahr, dass die Firmen weniger Geld in Produkt- und Technologie- entwicklung investieren.«

Leistungshalbleitermarkt

Rezession birgt Gefahr des Umsatzrückgangs

Glyn, Toshiba, Silicon Carbide, SiC

Neue SiC-MOSFETs von Toshiba

Drei Vorteile mit Sparpotenzial kombiniert

Infineon Technologies, Peter Wawer

Siliziumkarbid-Material

Infineon und Resonac weiten Liefervereinbarung aus

SergeyNivens/AdobeStock

Industrie präferiert weiter Silizium

Dämpfer beim SiC-Hype?

Soitec, STMicroelectronics,

Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics will SmartSiC-Technologie von Soitec nutzen

Gene Sheridan, Navitas, Florin Udrea, Cambridge GaN Devices, Gerald Deboy, Infineon, Denis Marcon, Innoscience

electronica 2022 - Podiumsdiskussion

Galliumnitrid für industrielle und automobile Anwendungen

Dekarbonisierung u. Elektrifizierung sind aktuelle Megatrends, um die Klimaziele zu erreichen. Siliziumkarbid steht im Mittelpunkt dieses Trends

Ansteuerung von SiC-MOSFETs

Vorteile digitaler Gate-Treiber

LHL-Forum

Weitere Milliarden für SiC-Fertigungen

Hoffen auf ein Soft Landing

STMicroelectronics, Jean-Marc Chery, Silicon Carbidxe, SiC

STMicroelectronics

Neue Fertigung für SiC-Epitaxiewafer in Catania

TechInsights, Rohm, Silicon Carbide

Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm

Tiefe Einblicke in die Gen 4

Silicon Carbide, Wolfspeed, Chatham County

Wolfspeed verzehnfacht Kapazität

Mehrere Milliarden Dollar für neue SiC-Materialfabrik

Toshiba

Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba

Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt

Navitas, GeneSiC, Acquisition

GaN-Marktführer diversifiziert sich

Navitas übernimmt GeneSiC

Pixabay, Growth

Marktanalyse von TrendForce

Umsatz bei Siliziumkarbid vervierfacht sich in vier Jahren

Mesago / Klaus Mellenthin

PCIM-Nachlese

Der SiC-Tsunami kommt!