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Definition von Schottky-Dioden

Die Basis muss die Verlustleistung sein!

10. November 2016, 8:41 Uhr | Irina Hübner

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Fortsetzung des Artikels von Teil 1

Boost-optimierte Schottky-Diode

Betrachtet man die Verlustleistung in Abhängigkeit von Ausgangsströmen, dann zeigt sich auch dabei, wie wichtig die Auswahl einer Boost-optimierten Schottky-Diode ist.

Bild 1 zeigt die Verlustleistung mehrerer größengleicher Bausteine: einer Schottky-Diode mit niedriger UF, einer Schottky-Diode mit niedrigem IR sowie einer Boost-optimierten Schottky-Diode. Wie zuvor beschrieben, zeichnet sich der Baustein mit geringem Leckstrom durch eine bessere Verlustleistung bei niedrigeren Ausgangsströmen auf, doch mit steigendem Strom nimmt die Verlustleistung schneller zu. Bei der Schottky-Diode mit niedriger Durchlassspannung wird der Einfluss von deren hohem Leckstrom bei niedrigen Ausgangsströmen deutlich. Jedoch ist der Anstieg der Verlustleistung weniger steil und damit bei höheren Ausgangsströmen geringer. Die Boost-optimierte Schottky-Diode kombiniert die Vorteile der Vorgängerbausteine. Bei niedrigen Strömen ist sie dem Baustein mit geringen Leckströmen zwar nicht überlegen, aber bei höheren Strömen sind die Energieeinsparungen signifikant. Zusätzlich arbeitet die Boost-optimierte Schottky-Diode trotz hoher Stromspitzen, die von der Induktivität des Aufwärtswandlers verursacht werden, zuverlässig. Mit dem Baustein mit niedrigem Leckstrom kommt es hierbei zu Schwierigkeiten.

Bausteine mit geringem Leckstrom haben im Normalfall einen niedrigeren periodischen Durchlass-Nennspitzenstrom (oder IFRM) als eine Boost-optimierte Schottky-Diode oder eine solche mit geringer Durchlassspannung. Bei einem Baustein mit niedrigem Leckstrom steigt die Durchlassspannung bei Strömen oberhalb des Nennwerts in der Regel sehr rasch an. Deshalb kann ein solcher Baustein große Stromspitzen nicht so gut verarbeiten wie die anderen Schottky-Dioden.Steven Shackell, ON Semiconductor.

Nach Unterlagen von Steven Shackell, On Semiconductor