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AEC-Q100-qualifizierte Scale-iDriver-ICs

29. Juni 2018, 10:55 Uhr   |  Irina Hübner

AEC-Q100-qualifizierte Scale-iDriver-ICs
© Power Integrations

Die Gate-Treiber-ICs sorgen für eine verstärkte Isolation für Anwendungen bis 1.200 V.

Zwei Gate-Treiber-ICs aus der Scale-iDriver-Familie sind jetzt nach AEC-Q100 Grade Level 1 qualifiziert. Damit sind die beiden Chips als Treiber für IGBT- und SiC-MOSFET-Module im Automobilbereich einsetzbar.

Die ICs SID1132KQ und SID1182KQ sind für Spitzenströme bis ±2,5 A bzw. ±8 A spezifiziert. Nach Herstellerangaben bietet der SID1182KQ die höchste Strombelastbarkeit unter allen galvanisch getrennten Gate-Treibern am Markt und kann einen 600-A-/1200-V- oder 820-A-/750-V-Schalter treiben.

Die einkanaligen IGBT- und SiC-MOSFET-Treiber-ICs nutzen die magneto-induktive, bidirektionale FluxLink-Kommunikationstechnik, die eine verstärkte galvanische Trennung zwischen Primär- und  Sekundärseite gewährleistet. Durch FluxLink kann auf optoelektronische Bauteile verzichtet werden, deren Eigenschaften sich durch Alterung oder Temperatureinwirkung verändern können.

Scale-iDriver-ICs benötigen nur eine unipolare Spannung, wodurch sich das Design des DC/DC-Wandlers für die sekundärseitige Betriebsspannung erheblich reduziert. Eine interne Spannungs- und Leistungsmanagement-Schaltung übernimmt die erforderliche Regelung von positiven und negativen Gate-Treiberspannungen.

Erhältlich sind die Bausteine im eSOP-Gehäuse, das mit einem CTI-Wert von 600 sowie 9,5 mm Kriech- und Luftstrecke die Anforderungen der Automobilindustrie erfüllt.

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