Sandisk/Toshiba
3D-TLC-NAND-Flash mit 256 GBit nun in Massenfertigung
Vor 4 Monaten gab’s die ersten Muster, nun liefern Toshiba und Sandisk ihre 3D-TLC-NAND-Chips mit einer Kapazität von 256 GBit bereits in Stückzahlen aus. Die hohe Kapazität wird mit 3 Bit/Zelle und durch Stacken von 48 Layer erreicht. Gefertigt wird in 15-nm-Prozesstechnologie.
Adressiert wird mit diesen hochkapazitiven 3D-Flash-Chips laut Siva Sivaram, SanDisks Vice President of Memory Technology, »eine Vielzahl an Applikationen wie SSDs für Rechenzentren, Smartphones, Tablets und Speicherkarten«.
Sandisks und Toshibas neuer Speicherchip ist weder der erste 3D-NAND-Chip noch der erste mit 3 Bit/Zelle (TLC), aber es ist der erste derartige am Markt verfügbare mit 48 Layer.
Bereits seit über 1 Jahr liefert der koreanische Speicherprimus Samsung V-NAND-Chips (Vertical NAND) auf Basis der 3D-Charge-Trap-Flash-Technologie aus. So sind etwa die SSDs der 850-Serie mit 86-Gbit-MLC- und 128-Gbit-TLC-Chips bestückt.
Jobangebote+ passend zum Thema
Lesen Sie mehr zum Thema
Das könnte Sie auch interessieren
Western Digital
SSDs auf Basis von 64-Layer-3D-NAND
Western Digital/Sandisk/Toshiba
Speicherrekord: Erstmals 3D-NAND-Flash mit 64 Layern
TU/e spricht von Durchbruch für MRAMs
Universal RAM statt SRAM/DRAM/Flash?
Übergang von 2D- auf 3D-Architekturen
Paradigmenwechsel auf 3D-Speicher
Transcend
64-GByte-µSD-Speicherkarte für erweiterten Temperaturbereich
Samsung Electronics
Erste 128-GByte-DDR4-Module mit TSV-Technologie in Stückzahlen
Swissbit
MLC- statt SLC-NAND-Flash dank Firmware-Seitenverwaltung
Samsung
V-NAND-SSDs für Enterprise- und Data-Center
