EUV Lithographie
ASML investiert in Partner Zeiss 1 Mrd. Euro
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
Strukturgrößen bis zu 3 nm mit NA von größer 0,5
„2018 werden voraussichtlich die ersten Chips auf der gegenwärtigen Generation von EUV-Scannern hergestellt. Dennoch liegt noch viel Arbeit vor uns, um EUV für die Massenfertigung tauglich zu machen“, erklärte Peter Wennink, President und CEO von ASML. „Mit dieser Vereinbarung räumen wir die Hindernisse auf dem Weg zu fortschrittlicher Lithographie aus dem Weg und sehen unsere langjährige Partnerschaft bekräftigt“, ergänzte Michael Kaschke, President und CEO von Zeiss.
Die nächste Generation von EUV-Optiken wir deine höhere numerische Apertur (NA) aufweisen, womit sich die kritischen Abmessungen im Lithographie-Prozess weiter senken lassen. Derzeit stehen EUV-Geräte mit NA = 0,33 zur Verfügung, während die neue Optik eine NA > 0,5 aufweisen soll. Mit diesen High-NA-Optiken lassen sich Strukturen bis unter den 3-nm-Knoten in einem einzigen Belichtungsgang erzeugen.
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