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»Bessere Effizienz bei weniger Systemkosten«

MEV setzt auf Power mit Siliziumkarbid

12. April 2012, 18:36 Uhr | Karin Zühlke

Das Kaskaden-Board von SemiSouth erleichtert die Ansteuerung von SiC-Transistoren.

Mit SemiSouth, Hersteller von Transistoren und Dioden auf Siliziumkarbid-Basis (SiC), hat MEV vor knapp einem Jahr sein Produktspektrum im Hochleistungsbereich ergänzt. Bei der beratungsintensiven SiC-Technologie kann MEV seine Power-Spezialisierung so richtig ausspielen, denn ohne die richtige Unterstützung lassen sich die SiC-Produkte kaum adäquat eindesignen.

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Siliziumkarbid macht dem reinen Silizium in der Leistungselektronik die Vorherrschaft – berechtigterweise – streitig: Einer der entscheidenden Gründe für den Siegeszug des neuen Materials sind die wesentlich besseren physikalischen und elektrischen Eigenschaften gegenüber dem momentan noch vorherrschenden Silizium. »Während man in der Leistungselektronik mit Silizium-Bauelementen an die physikalischen Grenzen stößt, kann man mit SiC durch die fast dreifach so große Bandlücke, doppelt so große Sättigungsgeschwindigkeit, eine wesentlich geringere intrinsischen Ladungsträgerdichte und einer ausgezeichneten Wärmeleitfähigkeit einen deutlich höheren Arbeitsbereich in Bezug auf Frequenz, Temperatur und Spannungsfestigkeit erreichen«, fasst Christopher Rocneanu, FAE Power von MEV, zusammen. Ein weiterer wichtiger Pluspunkt des neuen Materials besteht darin, dass sich mithilfe von SiC die Effizienz von Anwendungen deutlich steigern lässt: »SiC-Dioden haben gegenüber ihren Si-Pendants den Vorteil, dass sie eine sehr kleine und vor allem Temperaturunabhängige Reverse-Recovery Ladung haben. Das bedeutet, dass die Verluste minimiert werden können bei gleichzeitig »soften« und schnellem Reverse-Recovery-Verhalten«, so Rocneanu.