Newsletter
Events
Media
Ansprechpartner
RSS
اللغة العربية
中文
ENGLISH
Rubriken
Rubriken
Halbleiter
Automotive
Embedded
Automation
Power
Optoelektronik
Distribution
Kommunikation
Elektronikfertigung
Messen + Testen
E-Mechanik+Passive
IT & Security
Smarter World
Medizintechnik
Verteidigungstechnik
Karriere
اللغة العربية
International
Chinese
Ticker
Bilder
Videos
Marktübersichten
Podcast
Whitepaper
Web Seminare
Glossar
Matchmaker+
Newsletter
Events
Media
Ansprechpartner
RSS
Schwerpunkte
Women4Electronics
Raspberry Pi
Natrium Ionen Akku
Gehaltsreport
Redaktionelle Ansprechpartner
Startseite
>
Automotive
>
Leistungselektronikkonzept für Hybrid-Elektrofahrzeuge
Standardisierte Subsystem-Bausteine optimieren HEV-Gesamtsystem
Leistungselektronikkonzept für Hybrid-Elektrofahrzeuge
10. August 2012, 9:01 Uhr |
Steffi Eckardt
▶
Diesen Artikel anhören
Fortsetzung des Artikels von
Teil 6
Der Autor:
Dr. Henning Hauenstein ist Vice President und General Manager des Geschäftsbereichs Automotive Products von International Rectifier. Er begann 2004 beim Unternehmen als Programm-Manager für die Automotive Systems Group; er leitete dabei die Entwicklung von IR’s HEV-Produkten und Technologien. Von 1999 bis 2004 war Dr. Hauenstein in der Produkt- und Technologieentwicklung von Automobilzulieferer Robert Bosch tätig.
Seite 7 von 7
Leistungselektronikkonzept für Hybrid-Elektrofahrzeuge
Kosteneffizient, skalierbar, flexibel
Die Wafer-Dicke verschlanken
Die Durchbruchspannung konstant halten
Standardisiert: COOLiR2DIE
Für jeden Spannungs- und Leistungsbereich
Der Autor:
Lesen Sie mehr zum Thema
International Rectifier GmbH
Leistungshalbleiter-ICs
Leistungsmodule
E-Mobility und Infrastruktur
Das könnte Sie auch interessieren
International Rectifier
IPS AUIR3320S mit niedrigem Einschaltwiderstand
International Rectifier
Treiber-IC für 12-, 24- und 48-V-Anwendungen
Leuchtturmprojekt SafeBatt
Sichere Batterietechnik fürs Elektroauto
Verbundprojekt LIANA+
Akasol entwickelt Li-Ion-Batterien für Off-Highway-Anwendungen
Leistungselektronik
Leistungs-MOSFETS von IR optimieren Piezo-Einspritzsysteme
600-V-IC
AUIRS2334S von IR mit optimiertem Eingangsfilter
Ladestationen am Netz an Roaming-Systeme
Voraussetzung für die Ausweitung der Elektromobilität
Leistungshalbleiter
600-V-Trench-IGBTs von IR sorgen für hohe Leistungsdichte in (H)EVs
Weitere Artikel zu International Rectifier GmbH
Interview with Alex Lidow
Twice in a Lifetime
Kommentar zu GaN von STMicroelectronics
Wer zu spät kommt …
Kommentar
Das Bessere ist nun mal der Feind des Guten
Georg Steinberger im Interview
»Den Wert unserer Leistung nicht unterminieren lassen!«
Strahlungsharte MOSFETs
Für Weltraum-Anwendungen
Weitere Artikel zu Leistungshalbleiter-ICs
صناعة أشباه الموصلات في أوروبا
بنك الاستثمار الأوروبي يموّل STMicroelectronics
PowerTrench-T10-MOSFETs
أون سيمي" و"فورفيا هيلا" توسعان شراكتهما الاستراتيجية
GaN-Leistungshalbleiter
onsemi und GlobalFoundries arbeiten zusammen
Strategische Partnerschaft
Navitas und Cyient treiben GaN-Ökosystem in Indien voran
Europas Halbleiterindustrie
EIB stellt STMicroelectronics 500 Mio. Euro bereit
Weitere Artikel zu Leistungsmodule
Bereich Industrieelektronik
Brancheninsider zu den Auswirkungen der Nexperia-Krise
Höhere Effizienz und Lebensdauer
SiC-Leistungsmodule im EasyPack C-Gehäuse
Gehäuse mit höherer Effizienz
Neue N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba
GaN in Motorsteuerungs-Anwendungen
Hervorragende Alternative zu MOSFETs und IGBTs
Energieumwandlung in Haushaltsgeräten
Das Beste aus zwei Welten: Hybrid SiC SLIMDIP-Module
Weitere Artikel zu E-Mobility und Infrastruktur
Deutscher E-Auto-Markt
Der Verlierer des Jahres heißt Tesla
Akkus für den ID. Polo
VW startet Batterieproduktion in Salzgitter
Flotten-Elektrifizierung
Dienstwagen an der heimischen Wallbox reibungslos laden
Ford kooperiert mit Renault
Zwei erschwingliche E-Autos für Europa
Electreon setzt auf Infineon
SiC-Module für kabelloses Ladesystem in der Fahrbahn